Болтакс Б.И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках

Ленинград: Наука, Ленинградское отделение, 1972. — 384 с. Излагаются основы теории диффузии и дефектообразования в полупроводниках. Обобщен и систематизирован имеющийся в настоящее время экспериментальный материал по диффузии примесей и самодиффузии в элементарных полупроводниках и полупроводниковых соединениях. Рассматривается влияние структурных дефектов, внутренних электрических полей и облучения на диффузию, а также диффузия примесей со свободной поверхности полупроводников. Отдельные главы посвящены рассмотрению основ и результатов экспериментальных исследований растворимости примесей в полупроводниках и распаду пересыщенных твердых растворов. Предисловие.
Структурные дефекты в полупроводниковых кристаллах.
Термодинамика точечных дефектов в кристаллах.
Кинетика процессов диффузии примесей и точечных дефектов в полупроводниках.
Некоторые вопросы теории диффузии в полупроводниках.
Диффузия в германии.
Диффузия в кремнии.
Диффузия в некоторых элементарных полупроводниках.
Диффузия в соединениях A^IIIB^V.
Диффузия в соединениях A^IIB^VI.
Диффузия в халькогенидах свинца и висмута.
Диффузия в окислах.
Диффузия примесей в твердых растворах замещения соединений A^IIIB^V.
Влияние внешних и внутренних электрических полей на диффузию примесей в полупроводниках.
Влияние облучения на диффузию примесей в полупроводниках.
Диффузия по поверхности и структурным дефектам в полупроводниках.
Основы теории растворимости примесей в полупроводниках.
Растворимость примесей в полупроводниках. (Экспериментальные результаты).
Распад перенасыщенных твердых растворах.
Литература (к каждой главе).