Издательство: М., «Энергия», 1974
256 страниц
Дается описание электронных процессов в полупроводниковых кристаллах. Исследуются импульсные и статистические характеристики электронно-дырочного перехода с учетом влияния токов генерации и рекомбинации в переходном слое, канальных токов и токов утечки. Рассматриваются принцип действия, статистические высокочастотные, импульсные характеристики и физические параметры биполярных и униполярных транзисторов, приводятся их эквивалентные схемы, учитывающие специфику расчета различных электронных устройств.
Книга предназначена для аспирантов и студентов, специализирующихся по радиоэлектронике, автоматике, вычислительной технике. Она будет представлять интерес и для инженеров, занимающихся разработкой, производством и эксплуатацией радиоэлектронной аппаратуры.
256 страниц
Дается описание электронных процессов в полупроводниковых кристаллах. Исследуются импульсные и статистические характеристики электронно-дырочного перехода с учетом влияния токов генерации и рекомбинации в переходном слое, канальных токов и токов утечки. Рассматриваются принцип действия, статистические высокочастотные, импульсные характеристики и физические параметры биполярных и униполярных транзисторов, приводятся их эквивалентные схемы, учитывающие специфику расчета различных электронных устройств.
Книга предназначена для аспирантов и студентов, специализирующихся по радиоэлектронике, автоматике, вычислительной технике. Она будет представлять интерес и для инженеров, занимающихся разработкой, производством и эксплуатацией радиоэлектронной аппаратуры.