М.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит., 1986.— (Проблемы науки и
технического прогресса).—96 с. Изложены основные идеи физики
дифракции рентгеновских лучей, направленные на создание методов
анализа кристаллической структуры тончайших приповерхностных слоев
и границ раздела кристаллов высокой степени совершенства, в первую
очередь полупроводниковых кристаллов, являющихся основой
современной микроэлектроники.
Афанасьев А.М., Александров П.А., Имамов Р.М. Рентгеновская структурная диагностика в исследовании приповерхностных слоев монокристаллов
- формат pdf
- размер 5,82 МБ
- добавлен 29 октября 2013 г.
