В учебном пособии дан единый взгляд на построение моделей элементов
кремниевых интегральных схем (ИС) на основе фундаментальной системы
уравнений физики полупроводниковых приборов. Приведены
классификация моделей и подходы к их синтезу.
Описаны основные используемые в настоящее время на практике модели и рассмотрены методы идентификации их параметров. Приведены сведения о программном обеспечении моделирования с использованием численных моделей физических процессов в МОП- и биполярных транзисторах, И2Л - элементах в самых разнообразных режимах и функционирования. Приводятся также результаты анализа элементов в случае учета влияния эффектов сильного легирования, саморазогрева и температуры окружающей среды.
Пособие предназначено для студентов старших курсов соответствующих специальностей, а так же может быть полезно аспирантам и инженерам.
Описаны основные используемые в настоящее время на практике модели и рассмотрены методы идентификации их параметров. Приведены сведения о программном обеспечении моделирования с использованием численных моделей физических процессов в МОП- и биполярных транзисторах, И2Л - элементах в самых разнообразных режимах и функционирования. Приводятся также результаты анализа элементов в случае учета влияния эффектов сильного легирования, саморазогрева и температуры окружающей среды.
Пособие предназначено для студентов старших курсов соответствующих специальностей, а так же может быть полезно аспирантам и инженерам.