Тезис доклада. 3-я Всероссийская конференция Нитриды галлия, индия
и алюминия – структуры и приборы (Москва). Санкт-Петербург, СПбГПУ,
2004. – c. 17-18.
Авторы: А.Г. Железняк, В.Г. Сидоров, А.В. Штурбин, Н.М. Шмидт.
Аннотация:
Удешевление стоимости производства полупроводниковых приборов, в первую очередь светодиодов на базе GaN, за счет совершенствования технологии подготовки подложек.
Удешевление стоимости производства полупроводниковых приборов, в первую очередь светодиодов на базе GaN, за счет совершенствования технологии подготовки подложек.