Реферат
- формат docx
- размер 93.95 КБ
- добавлен
03 декабря 2011 г.
Принцип дії напівпровідникового лазера можна розглянути за допомогою рис. 1, на якому показані валентна зона напівпровідника V, зона провідності С і ширина забороненої зони Eg. Якщо припустити, що напівпровідник перебуває при температурі Т=0 К, то валентна зона буде повністю заповнена електронами, в той час як зона провідності буде порожня (див. рис. 1, а, де заштрихована область є областю заповнених станів). Припустимо тепер, що електрони якимос...