12
появления этого названия состоит в том, что впервые в 1990 г.
японская компания Toshiba употребила слово Flash в контексте
«быстрый, мгновенный» при описании своих новых микросхем.
Изобретателем флэш-памяти считается фирма Intel, представившая
в 1988 г. флэш-память. Промышленное производство такой памя-
ти началось в 1994 г.
Накопитель информации на основе флэш-памяти представляет
собой функционально законченное устройство, конструктивно
состоящее из защитного корпуса с маркировкой, выходного разъ-
ема для подключения к соответствующему порту системного бло-
ка компьютера и электронного блока. Внутри защитного корпуса
размещается электронный блок (микросхема), который включает
в себя перепрограммируемое постоянное запоминающее устрой-
ство (ППЗУ) с неограниченным циклом записи и считывания,
а также контроллер флэш-памяти. Накопители информации на
основе флэш-памяти относятся к энергонезависимому типу памя-
ти, т.е. после отключения электрического питания от такого нако-
пителя информация в нем сохраняется в течение нескольких лет.
ППЗУ, используемое во флэш-памяти, является представителем
класса перепрограммируемых постоянных ЗУ, в котором реализу-
ется электрический способ записи, считывания и стирания (уда-
ления) информации. Однако стирание информации в ППЗУ осу-
ществляется сразу в целой области ячеек — блока или всей микро-
схемы, это обеспечивает более быструю запись информации.
В ППЗУ флэш-памяти используется принцип записи, основанный
на использовании в них базовых элементов памяти (ячеек) — мик-
роэлектронных полупроводниковых транзисторов с двумя изоли-
рованными затворами: управляющим (control) и плавающим (float-
ing). Важной особенностью этих транзисторов является способ-
ность удерживать электроны, т.е. электрический заряд. Этот
процесс носит название Фоулера — Нордхейма.
Существуют различные технологии построения базовых эле-
ментов флэш-памяти, которые разработаны основными произво-
дителями. Эти технологии отличаются друг от друга количеством
слоев, методами стирания и записи данных, а также структурной
организацией, что отражается в их названии. Наиболее широко
известны NOR (Not OR — ИЛИ-НЕ) и NAND (Not AND — И-НЕ)
типы флэш-памяти, запоминающие транзисторы в которых под-
ключены к разрядным шинам соответственно параллельно и по-
следовательно. Элементы памяти ППЗУ организованы в матрицы