210
в процессе облучения точечных дефектов и их комплексов с высокой
концентрацией и большой диффузионной подвижностью инициирует це-
лый ряд процессов, явлений и эффектов, не наблюдаемых или слабо про-
являющихся в безрадиационных условиях.
Диапазон принципиально новых научных и технологических направ-
лений (имплантационная / ионная металлургия, ионно-(электронно-)
стимулированная модификация свойств твердых тел
, синтез новых мате-
риалов и т.п.), базирующихся на радиационно-индуцированных (-
стимулированных) явлениях и эффектах, огромен. Еще больше впечатля-
ет решаемый ими круг задач в различных сферах машиностроения, мик-
ро-, нано- и оптоэлектроники. Частично они уже нашли свое описание в
таких учебных пособиях как:
Аброян Н.А., Андронов А.Н., Титов А.Н. Физические основы элек-
тронной и ионной технологии (М.: Высшая школа, 1984, 320 с.);
Комаров Ф.Ф. Ионная и фотонная обработка материалов (Мн.: ВУЗ-
ЮНИТИ, БГПА, 1998, 209 с.);
Грибков В.А., Грирорьев Ф.К., Калин Б.А., Якушин В.Л. Перспек-
тивные радиационно-пучковые технологии обработки материалов (Под
ред. Калина Б.А., М.: Круглый год, 2001, 528 с.).
Ввиду их уникальности и многогранности они постоянно востребова-
ны. Многие из них становятся «инженерным инструментом» для реше-
ния выдвигаемых временем технологических задач.
Ограничимся рассмотрением радиационно-индуцированных эффек-
тов, проявляющих себя с практической точки зрения двояко: отрица-
тельно и положительно. В частности, инвариантность по отношению к
достигаемому технологическому результату проявляют эффекты радиа-
ционно-стимулированного распухания, порообразования и блистеринга.
В первом случае, они вызывают деградацию физико-механических
свойств реакторных материалов, понижая их радиационную стойкость.
Во
втором случае, когда речь идет о формировании скрытых нанораз-
мерных пористых слоев в полупроводниках и принципиально новой тех-
нологии «Smart Cut», позволяющей изготавливать структуры «кремний
на изоляторе», роль названных эффектов неоценима. Более того, они яв-
ляются основной неотъемлемой частью технологического процесса.
В середине 90-х годов XX в. М. Брюэлем были изложены основные
принципы
построения новой технологии изготовления структур типа
«кремний на изоляторе» (в англоязычной литературе «Silicon On
Insulator» – SOI), основанной на использовании скрытых пористых слоев,
созданных имплантацией протонов. Эта технология получила название