153
По толщине стекла проводимость значительно больше, чем по по-
верхности, что объясняется малой толщиной стекла, примерно 3...5 мкм (т.е.
значительно меньше поперечного размера элемента изображения). Проводи-
мость должна быть различной, чтобы потенциалы не выравнивались по по-
верхности. Поэтому такое стекло можно рассматривать как изолированный
электрод. Для отбора вторичных электронов на расстоянии
30...60 мкм от
поверхности стекла располагается мелкоструктурная сетка, имеющая про-
зрачность для электронов 60…70% (до 30 отверстий на 1 мм погонный). На
эту сетку подается положительный потенциал примерно единицы вольт.
Секция вторично-электронного усиления сигнала изображения со-
стоит из пяти кольцевых электродов (динодов) умножителя 14. На выходе
умножителя в качестве нагрузки включен резистор R
н
. Электронный луч i
л
отклоняется с помощью строчных и кадровых отклоняющих катушек 9, рас-
положенных снаружи колбы. Для совмещения оптической оси проекции
изображения с электрической осью электронного луча служат корректи-
рующие катушки 12, которые также располагаются снаружи колбы. Вся
трубка помещается в фокусирующую катушку 8, которая создает равномер-
ное магнитное поле, направленное вдоль оси трубки.
Суперортикон работает
следующим образом. Объектив 1 проецирует
на фотокатод трубки оптическое изображение передаваемого объекта. Бла-
годаря фотоэлектронной эмиссии с фотокатода излучаются фотоэлектроны i
ф
в количествах, пропорциональных падающему световому потоку. Таким об-
разом, в плоскости фотокатода создается электронное изображение, которое
под действием ускоряющего поля (на фотокатод подается отрицательный
относительно ускоряющего электрода потенциал минус 300 В) переносится
на мишень в масштабе 1:1. Электронное изображение фокусируется одно-
родным магнитным полем фокусирующей катушки. Интенсивность поля пе-
реноса подбирается такой,
чтобы электроны прошли путь, равный целому
числу витков спирали (обычно один виток). Мишень эмитирует в соответст-
вующих количествах вторичные электроны i
2
, которые попадают на сетку. В
результате этого на левой стороне мишени образуется положительный по-
тенциальный рельеф, максимальное значение которого не превосходит по-
тенциала сетки. Заряды накапливаются на элементарных конденсаторах, об-
разуемых сеткой и участками мишени слева (см. рис. 3.5, б). Их емкости C
1
,
C
2
, ... , C
n
. Если за время передачи кадра эти конденсаторы не успевают заря-
диться полностью, то все вторичные электроны уходят на сетку, и объемного
заряда между сеткой и мишенью нет.
Потенциальный рельеф, получившийся на левой стороне мишени из-
за электростатической индукции, передается на ее правую сторону. Явление
электростатической индукции заключается в том, что
если на два включен-
ных последовательно конденсатора подать постоянное напряжение, то эти
напряжения будут распределяться обратно пропорционально емкостям этих
конденсаторов. Таким образом, на конденсаторе с большей емкостью будет