;2/)(;)(
2
1
ADBCMNhbaS
тр
ОКРУЖНОСТЬ И КРУГ
Длина окружности с =2πR. Площадь круга S = πR
2
= πD
2
/4.
Длина дуги l = π·R·α/180
0
. Площадь сектора S = π·R
2
·α/360
0
.
где α – величина угла дуги в градусах.
ЧЕТЫРЁХУГОЛЬНИК И КРУГ
Свойство вписанного четырёхугольника:
ac + bd = ef, где a,b,c,d – стороны, e,f – диагонали.
Свойство описанного четырехугольника: a + c = b + d;
S = p·r, p – полупериметр.
ПРАВИЛЬНЫЕ МНОГОУГОЛЬНИКИ
Внутренний угол
где n – число сторон. a
n
= 2R·sin(180
0
/n);
S
n
= ½ ·n·a
n
·r; S
n
= ½ ·P
n
·r; r = R·cos(180
0
/n);
ШЕСТИУГОЛЬНИК
;;2/3;
2
2
33
666
RSarRa
СТЕРЕОМЕТРИЯ
ПРИЗМА
Боковая поверхность наклонной призмы S
б.п.
= P
1
·l, где P
1
– периметр перпендикулярного сечения,
l – ребро призмы. Боковая поверхность прямой призмы S
б.п.
= P
осн
·l; Объём призмы V
пр
=S
осн
·h;
ПИРАМИДА
I. Если боковые рёбра пирамиды равнонаклонены к плоскости основания (их длины равны), то
высота проходит через центр окружности
описанной около многоугольника основания.
II. Если боковые грани пирамиды равнонаклонены
к плоскости основания (длины апофемы равны), то
высота проходит через центр окружности,
вписанной в многоугольник основания.
Площадь боковой поверхности правильной
пирамиды: S
б.пир.
= ½ ·P
осн
·h
a
, где h
a
– апофема.
S
б.пир.
= S
осн
/cosα , где α – угол наклона боковой грани
к основанию.
Объём пирамиды: V
пир
= ⅓·S
осн
·h, где h – высота
пирамиды.
Площадь боковой поверхности правильной
усечённой пирамиды: S
бок
= ½ ·(P
1
+P
2
)·h
a
, где P
1
, P
2
– периметры оснований (верхнего и нижнего); h
a
– апофема.
Объём усечённой пирамиды:
где Q
1
и Q
2
– площади оснований.
ТЕЛА ВРАЩЕНИЯ
ЦИЛИНДР
Площадь боковой поверхности: S
бок
=2·π·R·h; Площадь всей пов–ти: S=2·π·R·(R + h); Объём: V = πR
2
·h;
КОНУС
Площадь пов–ти конуса: боковой S
б
=πrl; полной S
п
=πr ·(r + l); где l – образующая. Объём: V=πr
2
h/3;
УСЕЧЁННЫЙ КОНУС
Площадь боковой пов–ти: S
б.у.к.
= π·l·(R + r); Объём: V=⅓·π·h(R
2
+ r
2
+Rr); угол развёртки: α=(R–r)/l;
ШАР
Площадь пов–ти сферы: S
сф
=4πR
2
; Объём шара: V
ш
=4/3·πR
3
;