Оснач О.Ф. Товарознавство. Промислове обладнання, прилади, інструменти
Подождите немного. Документ загружается.
31
Розділ 1. Едектронні комплексні вироби
-
;&
= ' (H ;& &$ -
!" 0,3O)
= ' (H ;& &$
!" 0,3, !" 10O)
3
4
>:
K
' ()
1
2
% :
K
F
/
1
2
3
4
>KK;:
#;$
>$ ()
/ &K !" 500 /
2
/ &K !" 500 /
1
3
4
;:
/"
;
$KK; (, !' &)
'
F
1
2
4
5
6
7
Продовження таблиці 1.12
Таблиця 1.13.
Третій, четвертий і п’ятий елементи позначення типу
напівпровідникових стабілітронів і стабісторів
;&
+! !
%.
:.
'&.
' !" 0,3 >
$ ! " 10 >
$ ! " 10 !"
99 >
1
2
01...99
10...99
«Товарознавство»
32
;&
+! !
%.
:.
'&.
$ ! " 100 !"
199 >
3
00...99
' !" 0,3, !" 5 >
$ ! " 10 >
$ ! " 10 i !"
99 >
$ ! " 100 !"
199 >
4
5
6
01...99
0. …99
00... 99
' !" 5, !" 25 >
$ ! " 10 >
$ ! " 10 i !"
99 >
$ ! " 100 i !"
199>
7
8
9
01...99
10...99
00..99
Продовження таблиці 1.13
Таблиця 1.I4.
Приклад кольорового маркірування діодів
%
+
–
9= : :
-
9> <$&; :
-
101 = - -
102 < - -
10/ = - -
104 = - -
105 < ; - -
106 = - -
33
Розділ 1. Едектронні комплексні вироби
Продовження таблиці 1.14
%
+
–
220 < :
+&
223O ; :.
:.
103O - +& -
105 - < $ -
109O - = -
521O % $ -
1.6.3. Транзистори
Транзистор – це електроперетворювальний напівпровідни
ковий прилад з одним або декількома електричними перехода
ми, який застосовується для посилення потужності сигналу.
Найбільш поширені транзистори мають два електроннодіркових
переходи. Двопереходні транзистори, у яких використовують два
різних типи носіїв заряду (електрони і дірки), одержали назву
біполярних. Основним елементом такого транзистора є кристал
напівпровідника, в якому за допомогою домішок створені три
області з різною провідністю. Якщо середня область має елект
ронну провідність типу п, а дві крайні – діркову провідність типу
р, то такий транзистор належить до типу р@п@р
на відміну від
транзисторів прп, що мають середню область із дірковою, а
крайні області – з електронною провідністю. Кристал зміцнюють
на спеціальному кристалотримачеві і поміщають у герметизова
ний металевий, пластмасовий або скляний корпус.
Транзистори класифікуються:
за матеріалом провідника – германієві, кремнієві, арсе
нидові; германієві транзистори працюють в інтервалі
температур від 60° до +78...85° С, кремнієві — від 60° до
+ 120°... 150
е
С;
«Товарознавство»
34
за технологічною ознакою розрізняють транзистори
сплавні, сплавнодифузійні, дифузійносплавні, планарні,
епітаксиальні, конверсійні, епітаксиальнопланарні;
за потужністю – малої, середньої, великої потужності;
за діапазоном робочих частот – низької, середньої і висо
кої частоти;
за основними процесами руху інжектованих носіїв у базі –
дрейфові та бездрейфові та ін.
Поряд із корпусними одержали поширення безкорпусні, в
яких монокристал покривається спеціальною плівкою. Такі
прилади використовують у гібридних плівкових інтегральних
мікросхемах.
Таблиця 1.15.
;& $;.
; ;
'
K&, >
5 F
(;)
!" 5 F
(;)
F.
.
0,25
()
..99 101...199 401...499
501...599
F.
.
=" 0,25
()
201...299
301...399
601...699
701... 799
Біполярний транзистор може працювати в найрізноманіт
ніших режимах, які відрізняються схемою включення, частотою
і формою сигналів. Для повного опису його властивостей по
трібно декілька сотень параметрів. Усі параметри транзистора
можна розбити на три групи (гранично припустимі параметри,
параметри номінальних режимів і функціональні параметри).
Гранично припустимі параметри – це параметри, що нор
мують умови експлуатації транзисторів: максимально припу
стима потужність розсіювання колектора, максимальний
струм колектора, напруга між колектором і загальним елект
родом транзистора. У групу гранично припустимих пара
метрів відносять також величини, що обмежують показники
35
Розділ 1. Едектронні комплексні вироби
зовнішнього середовища (температура, тиск, вологість) або
механічних перешкод.
Параметри номінальних режимів визначають рекомендо
вані умови експлуатації (значення струмів і напруг ), при яких
забезпечуються найкращі показники транзистора. Частіше всьо
го в паспорті транзистора задаються номінальні значення
струмів і напруг на колекторі для різних схем включення (зво
ротний струм колектора, зворотний струм емітера).
Функціональні параметри дають безпосередню характери
стику властивостей транзистора як елемента електронних схем.
При цьому враховуються вид електричних сигналів, для пере
творення яких використовується транзистор (вхідний опір,
коефіцієнт передачі струму, коефіцієнт зворотного зв’язку, ви
хідна провідність, гранична частота посилення по струму).
Основні параметри транзисторів і характеристики вказують
ся у довідниках, у табл.1.16. наведені зведені дані по двох пара
метрах транзисторів, згруповані по типах транзисторів. У дов
ідниках наводяться до 25 параметрів з кожної марки
транзистора.
Таблиця 1.16.
%
K
'
F;
;
'-
,
;
9-42,
101-116,
F%108-F%109
30–200 > 0,1–1 F
'-
, -
;
29-308,
%201-%203
100–150 > 0,5–20 F
'-
,
;
401-423, %301,
F%305-F%338, %312-
%316, %339-%373,
F%346-F%362
100–150 > 80–2400 F
+& '-
,
;
201-203, 301-
304, F%403-F%405
4–10 > 8–100 F$
«Товарознавство»
36
Продовження таблиці 1.16
%
K
'
F;
;
+& '-
, -
;
601-606, 701 3 > 12–30 F
+& '-
, ;-
%601-%618,
607-609
0,5–3 > 40–1500 F
> '-
, ;-
213-217, F%701,
1%701-1%702,
F%703-F%705
10–20 > 10–3000 F
> '-
, -
;
702, %801-%805,
F%806, %807-%819
4–60 > 3–20 F
> '-
, ;-
1%901, %902-%904,
F%905, %908-%911
5–60 > 30–1000 F
Позначення типу біполярних транзисторів складається з
декількох елементів.
Перший елемент позначає матеріал, із якого виготовлений
прилад: германій або його сполуки – Г; кремній або його спо
луки – сполуки галія – А, для транзисторів, які використову
ються у пристроях спеціального призначення, установлені такі
позначення вихідного матеріалу: германій або його сполуки –
1; кремній або його сполуки – 2; сполуки галія – 3.
Другий елемент – підклас напівпровідникового приладу.
Для біполярних транзисторів другим елементом є літера Т.
Третій елемент – призначення приладу.
Четвертий та п’ятий елементи – порядковий номер роз
робки і технологічного типу приладу.
Шостий елемент – розподіл технологічного типу на пара
метричні групи.
Наприклад, транзистор, призначений для пристроїв широ
кого застосування, германієвий, низькочастотний малої потуж
ності, номер розробки 15, група А – ГТ115А. Приклади мало
37
Розділ 1. Едектронні комплексні вироби
потужних низькочастотних транзисторів, виготовлених сплавле
ним методом: германієві (р@п@р) типів МП41, кремнієві (р@п@р)
типу КТ104А і ін.
Приклади малопотужних високочастотних транзисторів —
германієві дифузносплавні (р@п@р) ГТ310А, планарні ГТ313А,
кремнієві дифузійні (п@р@п) КТ301А, планарні КТ315Е.
У позначення модернізованих транзисторів входить літе
ра М (наприклад, МП101А, МП21В).
Польові транзистори
Польовим називають транзистор, у якому посилення сигна
лу управляється вхідною напругою, що відрізняє його від біпо
лярного, який управляється вхідним струмом. Польові транзи
стори в порівнянні з біполярними мають великі вхідні і вихідні
опори і меншу крутизну прохідних характеристик. Робота по
льових транзисторів заснована на русі основних носіїв заряду
в напівпровіднику.
Польові транзистори залежно від способу виготовлення й
електричних характеристик діляться на дві групи: транзистори
з р@ ппереходом і з ізольованим затвором (МОП транзистори).
Основні параметри польових транзисторів – початковий
струм стоку, гранична напруга, максимальна розсіювана по
тужність, максимальні напруги виводів польового транзистора.
Польові транзистори мають такі умовні позначення: П1 –
транзистори польові з розсіюваною потужністю не більше
1 Вт і f
mах
<30 МГц; П230... 300 МГц; П4 – більше 300 МГц; П7 –
із розсіюваною потужністю більше 1 В
Т
і f
mах
>30 МГц;
П830...300 МГц; П9 – більше 300 МГц.
Приклад польових транзисторів з управляючим р@пперехо
дом кремнієвий транзистор К102ЕЛ.
Позначення типу польових транзисторів складається з дек
ількох елементів. Перший елемент означає матеріал, із якого
виготовлений прилад: германій або його сполуки – Г; кремній
або його сполуки – К, сполуки галія – А.
Для транзисторів, використовуваних у пристроях спеціаль
ного призначення, установлено такі позначення вихідного ма
«Товарознавство»
38
теріалу: германій або його сполуки – 1; кремній або його спо
луки – 2; сполуки галія – 3.
Другий елемент – підклас напівпровідникового приладу
(літера П).
Третій елемент – призначення приладу (див. табл. 1.15).
Четвертий та п’ятий елементи – порядковий номер роз
робки і технологічного типу приладу (від 01 до 99).
Шостий елемент – розподіл технологічного типу на пара
метричні групи (літери російського алфавіту від А до Я).
Набори дискретних напівпровідникових приладів познача
ються відповідно до їхнього різновиду і перед останнім елемен
том добавляється літера С.
Наприклад: польовий транзистор, призначений для при
строїв широкого застосування, кремнієвий, малої потужності,
високочастотний, номер розробки 03, група А – 2ПЗОЗА,
1.6.4. Тиристори
Тиристор – напівпровідниковий прилад, який має чотирь
охшарову р—п—р—структуру з трьома послідовними р—ппе
реходами, що характеризується двома стійкими станами.
Еміттерні електроди є силовими і називаються катодом і
анодом. Перехід П1 є еміттерним або катодним, перехід П2 —
колекторним, а перехід П3 — еміттерним або анодним. Тирис
тор, що має виводи тільки від крайніх шарів, називається діод
ним тиристором або динистором; при додатковому виводі від
одного із середніх шарів він називається тріодним тиристором
або тринистором.
Тріодні замикаємі тиристори на відміну від звичайних
тріодних тиристорів здатні переключатися з відімкнутого ста
ну в замкнений при подачі сигналу негативної полярності на
керуючий електрод. Структура тиристора, що замикається, ана
логічна структурі звичайного тріодного тиристора.
Симетричні тиристори (семистори) мають п’ятишарову
структуру і мають негативний опір на прямій і зворотній гілках
вольтамперної характеристики.
39
Розділ 1. Едектронні комплексні вироби
Позначення типів тиристорів складається із шести еле
ментів.
Перший елемент позначає матеріал, із якого виготовлений
прилад: германій або його сполуки – Г; кремній або його спо
луки – К; сполуки галія – А.
Другий елемент позначає підклас приладу: для тиристорів
діодних – Н; для тиристорів тріодних – У.
Третий елемент – призначення приладу (табл.1.17).
Четвертий і п’ятий елементи – порядковий номер розроб
ки технологічного типу приладу (від 01 до 99).
Шостий елемент – розподіл технологічного типу на пара
метричні групи (літери українського алфавіту від А до Я).
Наприклад: тиристор тріодний, призначений для пристроїв
широкого застосування, кремнієвий, середньої потужності, но
мер розробки 15, група Б – КУ215Б.
Таблиця 1.17.
Третій елемент позначення типу тиристорів
-
;&
:
' ( &. . !" 0,3 O)
' (&. . !" 0,3,
!" 10 O)
1
2
% :
'
'
1
2
% K;:
'
'
3
4
% ; :
'
'
5
6
«Товарознавство»
40
1.7. Інтегральні мікросхеми
1.7.1. Загальні відомості про
інтегральні мікросхеми
Інтегральною мікросхемою (ІМС) називають мікроелект
ронний виріб, що виконує визначену функцію перетворення,
обробки сигналу і (або) накопичування інформації і має висо
ку щільність упакування електрично з’єднаних елементів (або
елементів і компонентів) і (або) кристалів, що з точки зору
вимог до випробувань, приймання, постачання й експлуатації
розглядається як єдине ціле.
Елемент ІМС – частина ІМС, що виконує функцію якогось
електрорадіоелемента, що виготовлена невід’ємно від кристала
або підложки і не може бути виділена як самостійний виріб
щодо вимог до випробувань, приймання, постачання й експлу
атації (під електрорадіоелементом розуміють транзистор, діод,
резистор, конденсатор і ін.).
Компонент ІМС – частина ІМС, що виконує функції яко
гось електрорадіоелементу, яку можна розглядати як само
стійний виріб щодо вимог до випробувань, приймання, поста
чання й експлуатації.
Корпус ІМС – частина конструкцій ІМС, призначена для
захисту ІМС від зовнішніх впливів і для з’єднання з зовнішн
іми електричними ланцюгами за допомогою виводів.
Ступінь інтеграції ІМС – показник ступеня складності ІМС,
що характеризується числом елементів, які містяться в ній, і
компонентів. ІМС першого ступеня інтеграції містить до 10
елементів і компонентів включно, ІМС другого ступеня інтег
рації — від 11 до 100 і т.д.
Серія ІМС – сукупність типів ІМС, що можуть виконувати
різні функції, мають єдине конструктивнотехнологічне вико
нання і призначені для спільного застосування.