Заключение
Изучение дисциплины ИОТЛ в современном виде показывает,
что новая область техники – инженерные основы технологических
лазеров – находится в стадии становления и развития. Далеко не все
типы лазеров и виды соответствующего технологического и инже-
нерного оборудования достигли уровня промышленно выпускаемых
изделий, образцов, удовлетворяющих всем требованиям лазерной
технологии и промышленной эксплуатации. Соответственно, значи-
тельная часть сведений, излагаемых в курсе, относится к результатам
пока чисто научных исследований; эти сведения необходимы для по-
нимания перспектив развития лазерной техники.
Другим итогом изучения курса является вывод о необходимости
глубокого знания устройств лазерной техники не только ее разработ-
чиками, но и пользователями, занимающимися проблемами лазерной
технологии. Зная потребности промышленного предприятия в дан-
ном виде лазерной обработки, технолог, владеющий основами
ИОТЛ, сможет обосновать выбор нужного типа ТЛ и его внешней
технологической оснастки или выбор нужного АЛТК и обеспечить
оптимальные условия эксплуатации ТЛ в условиях промышленного
предприятия.
Дальнейшее развитие дисциплины ИОТЛ связано, с одной сто-
роны, с усовершенствованием техники созданных типов лазеров, а с
другой – с созданием и развитием новых типов ТЛ.
Усовершенствование техники созданных типов ТЛ происходит
по следующим направлениям: повышение средней мощности лазе-
ров; улучшение угловой расходимости и стабильности излучения;
повышение экономичности, надежности и ресурса лазеров; создание
оптических систем формирования, позволяющих иметь любое нуж-
ное пространственное распределение излучения; создание адаптив-
ных автоматизированных систем управления ТЛ в реальном масшта-
бе времени, в соответствии с требованиями оптимального хода тех-
нологического процесса лазерной обработки.
В ближайшие годы ожидается создание (или развитие) новых ти-
пов ТЛ: газодинамических СО
2
лазеров; импульсно-периодических
эксимерных газоразрядных лазеров (с длиной волны излучения
0,16...0,3 мк, средней мощности до 1 кВт и более); химических лазе-
ров, твердотельных лазеров на новых кристаллах со средней мощно-
стью до 1 кВт и выше.