150
Раздел
II.
ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ
ДАТЧИКИ
димый свет, Ф-5 — на инфракрасный цвет. Фотоэлементы работо-
способны
и при
других
длинах волн, но выходной сигнал при этом
будет
меньше. На рис. 12.3, а показан фотоэлемент типа СЦВ-4,
имеющий
размеры диаметр 27 мм и длину 62 мм и интегральную
чувствительность 80 мкА/лм. Фотоэлектронные умножители (ФЭУ)
в
отличие от фотоэлементов имеют дополнительные электроды.
Благодаря вторичной эмиссии электронов из этих электродов
чувст-
вительность ФЭУ во много раз превышает чувствительность фото-
элементов. Однако для ФЭУ требуется и значительно большее на-
пряжение
питания.
Фоторезистор
состоит из светочувствительного слоя полупро-
водника
толщиной около микрометра, нанесенного на стеклянную
или
кварцевую пластинку. Токосъемные электроды выполнены с
применением
драгоценных металлов. При внутреннем фотоэффекте
под действием светового потока в полупроводнике появляются до-
полнительные свободные электроны, благодаря чему увеличивается
электропроводность, а сопротивление фоторезистора уменьшается.
Промышленностью выпускаются фоторезисторы типов СФ, ФР,
ФС
различных модификаций. В них используются полупроводнико-
вые материалы: сернистый кадмий, сернистый свинец, германий,
индий
и др.
На
рис. 12.3, б, в, г показан внешний вид некоторых фоторези-
сторов, а на рис. 12.3, д — спектральные характеристики фоторези-
сторов из некоторых полупроводниковых материалов. По вертика-
льной
оси отложена чувствительность в относительных единицах, а
по
горизонтальной — длина волны монохроматического (т. е. опре-
деленного цвета) светового потока. Вид кривой
•(острый
пик или
пологая вершина) зависит и от технологии изготовления полупро-
водникового материала.
Надо
отметить, что чувствительность
схем
с фоторезисторами во
много раз больше, чем
схем
с фотоэлементами. Например, фоторе-
зистор типа СФЗ-2А имеет в освещенном состоянии ток в 3 мА.
При
отсутствии света и напряжении на фоторезисторе в 10 В через
него протекает ток в 2 мкА. Таким образом, кратность изменения
сопротивления
может достигать 3 •
10"
3
/(2
• Ю"
6
) = 1500.
Для автоматического измерения фоторезисторы используют
чаще всего в мостовой схеме. Для исключения погрешности из-за
потока излучения фона в два плеча моста включают одинаковые
фоторезисторы, один из которых воспринимает только излучение
фона,
а
другой
освещается одновременно измеряемым объектом и
фоном.