
30
Плавающий (изолированный) затвор не имеет электрического подвода, он
предназначен для хранения заряда. Селектирующий затвор подсоединен к одному
из выходов дешифратора строк – к горизонтальной линии, а сток – к вертикальной
линии. В исходном состоянии отсутствует заряд на плавающем затворе (состоя-
ние 1), транзистор имеет очень небольшое пороговое напряжение. Выбор элемента
осуществляется путем подачи
на селектирующий затвор выходного напряжения ад-
ресного дешифратора, при этом включается транзистор и через цепь сток-исток про-
текает значительный ток. Программирование (занесение 0 в элементы) производит-
ся подачей на сток импульса напряжения 25-30B. При этом происходит инжекция
электронов, имеющих высокую энергию, через оксид на изолированный затвор, по-
лучающий отрицательный заряд (состояние 0). В
результате увеличивается порого-
вое напряжение, и подача на селектирующий затвор выходного напряжения дешиф-
ратора не включает этот транзистор. Сообщенное элементу состояние сохраняется
сколь угодно долго.
4.6. ФЛЭШ-ПАМЯТЬ
Флэш-память (flash-memory) по типу запоминающих элементов и основным
принципам работы подобна памяти типа EEPROM (ППЗУ) с электрическим перепро-
граммированием. Однако ряд архитектурных и структурных особенностей позволяют
выделить ее в отдельный класс. Разработка флэш-памяти считается кульминацией
развития схемотехники памяти с электрическим стиранием информации, и стала воз-
можной только после создания технологий сверхтонких пленок. Время электрического
перепрограммирования флэш-памяти в отличие от существующих ППЗУ очень мало и
составляет сотни наносекунд. Это позволяет использовать их в качестве оперативных
внешних запоминающих устройств типа жесткого диска. Однако число циклов переза-
писи флэш-памяти ограничено.
В схемах флэш-памяти не предусмотрено стирание отдельных слов, стирание
информации осуществляется либо для всей памяти одновременно, либо для доста-
точно больших блоков. Это позволяет упростить схемы ЗУ, т. е. способствует дости-
жению высокого уровня интеграции и быстродействия при снижении стоимости. Тех-
нологически схемы флэш-памяти выполняются с высоким качеством и обладают
очень хорошими параметрами.
Термин flash, по одной из версий, связан с характерной особенностью этого ви-
да памяти – возможностью одновременного стирания всего ее объема. Согласно
этой версии еще до появления флэш-памяти при хранении секретных данных ис-
пользовались устройства, которые при попытках несанкционированного доступа к
ним автоматически стирали хранимую информацию и назывались устройствами ти-
па flash (вспышка, мгновение). Это название перешло и к памяти, обладавшей свой-
ством быстрого стирания всего массива данных одним сигналом.
Одновременное стирание всей информации ЗУ реализуется наиболее просто,
но имеет тот недостаток, что даже замена одного слова в ЗУ требует стирания и но-
вой записи для всего ЗУ в целом. Для многих применений это неудобно, поэтому на-
ряду со схемами с одновременным стиранием всего содержимого имеются схемы с
блочной структурой, в которых весь массив памяти делится на блоки, стираемые не-
зависимо друг от друга. Объем таких блоков сильно разнится: от 256 байт до
128 Кбайт.
Число циклов перепрограммирования для флэш-памяти хотя и велико, но огра-
ничено, т.е. ячейки при перезаписи "изнашиваются". Для того, чтобы увеличить дол-
говечность памяти, в ее работе используются специальные алгоритмы, способст-
вующие "разравниванию" числа перезаписей по всем блокам микросхемы.
Соответственно областям применения флэш-память имеет архитектурные и
схемотехнические разновидности. Двумя основными направлениями эффективного