134
структурной основе этана и дисилана) – монометилсилан CSiH
6
– широко из-
вестен. По-видимому, возможно существование и другого смешанного гид-
рида на структурной основе ацетилена и силикоацетилена, имеющего фор-
мулу CSiH
2
. И наконец, можно предположить существование смешанных
гидридов состава (SiC)
n
H
m
, летучесть которых при высоких температурах по-
добна летучести известных угле- и кремневодородов, но значительно выше,
чем у чистого карбида кремния.
Следовательно, водород повышает летучесть карбида кремния, или, дру-
гими словами, способствует газификации карбида кремния при температурах
значительно более низких, чем те, при которых он сублимирует. А это озна-
чает, что в условиях газового потока или просто конвекции водородсодер-
жащего газа неизбежно должны происходить перенос (транспорт) карбида
кремния и его переотложение, приводящие
к связыванию (спеканию) порош-
ков, газоуплотнению пор и упрочению изделий из карбида кремния. Но пра-
вильным будет и обратное заключение: при недостатке водорода в системе
все эти явления, которые приводят к самосвязыванию карбида кремния, бу-
дут заторможены или вовсе не произойдут.
Водород в реакционную зону печей при производстве изделий из само-
связанного карбида кремния естественным путем попадает или за счет лету-
чих веществ (главным образом углеводородов), содержащихся в углероди-
стых материалах, или за счет влаги, содержащейся в шихтовых материалах и
окружающей атмосфере. Важно сразу же заметить, что в открытого типа пе-
чах
водорода (как и вообще летучих веществ) много в начале кампании и
очень мало в конце ее. Может быть, именно поэтому все процессы обжига –
спекания веществ весьма кратковременны по выдержке при максимальных
температурах.
Довольно близко к изложенным в настоящей работе соображениям о ме-
ханизме твердофазного спекания порошкообразных веществ, на наш взгляд,
подошли авторы работы [165], в которой, в частности, сказано:
«Шихты, содержащие около 100% карбида кремния, позволяют получать
материал, в котором наблюдается непосредственное срастание зерен (припе-
кание) по местам контактов. При содержании в шихтах 10–30% и более кар-
бидообразователей и мелких зерен исходного карбида кремния срастание зе-
рен SiC происходит через мостики, образованные рекристаллизованными
мелкими зернами исходного и вновь образовавшегося карбида кремния, ко-
торые
припекаются к крупным зернам. В первом случае структура прибли-
жается к каркасной, наблюдаемой у окисных огнеупоров»…
«Механизм рекристаллизации карбида кремния в нагревателях при 1900–
2000 и 2200
о
С и выше, по-видимому, различен. При более высоких темпера-
турах преобладает испарение – конденсация мелких зерен SiC. Что касается
спекания нагревателей из масс при температуре ниже 2000
о
С, то здесь воз-
можно срастание кристаллов по известному механизму газотранспортной ре-
акции с участием моноокиси кремния, образующейся в процессе взаимодей