AlGaAs, AlGaInP, GaInAsP. Четверной сплав Ga
X
In
1-X
As
Y
P
1-Y
при y=2,2x
для разных значений х даёт лазеры с длинами волн от 920 нм до 1500 нм.
Интересным для биотехнологий классом полупроводниковых лазеров
являются лазеры на основе соединений свинца (PbS
1-X
, Sn
X
Pb
1-X
Te, Sn
X
Pb
1-
X
Se и др.), для которых получена генерация в диапазоне 2,5÷49,1 мкм. При
заданной концентрации компонентов (значение параметра "х")
перестройка длины волны в полупроводниковом лазере осуществляется:
изменением температуры кристалла, изменением тока через диод
(тепловой эффект), приложением внешнего магнитного поля или внешнего
давления. Основным недостатком лазеров на соединениях свинца является
необходимость их достаточно глубокого охлаждения (20÷40К) при работе
в непрерывном режиме. В промышленности наряду с непрерывными
используются импульсные диоды, для охлаждения которых можно
применять термоэлектрические микрохолодильники. Из неохлаждаемых
наиболее длинноволновыми полупроводниковыми лазерами являются
лазеры на двойных гетероструктурах с GaInAsSb активными слоем,
излучающие в интервале длин волн 2,3÷2,4 мкм. Для целого ряда
биотехнологий представляет интерес видимая и ближняя ИК области
излучения полупроводниковых лазеров (575÷1500 нм). Здесь можно
говорить о замене наиболее часто употребляемого Не−Nе лазера,
работающего на красной линии, на более компактный, не уступающий (а
зачастую и превосходящий) по выходной мощности и имеющий почти в
тысячу раз большую эффективность полупроводниковый лазер. Для
фотокоагуляции биотканей вполне возможно использование вместо
аргонового или криптонового лазеров мощных инжекционных лазеров.
Если первые инжекционные лазеры имели сравнительно небольшую
мощность (3÷5 мВт), то в настоящее время созданы лазеры, которые в
одной моде могут давать непрерывное излучение мощностью 1÷7 Вт с
КПД 25÷66%. Ещё бо́льшую выходную мощность имеют монолитные
линейки лазеров. Например, линейка длиной в 1 см, содержащая 20
лазеров, в непрерывном режиме излучает более 12 Вт. Созданы двумерные
решётки, состоящие из большого количества лазеров, генерирующие
излучение мощностью до 800 Вт в режиме длинных импульсов (150 мкс,
40 Гц, ток инжекции порядка 80 А, КПД 40%).
Главным недостатком полупроводниковых лазеров является
чрезвычайно малый размер пучка на выходе (0,5÷1,0 мкм), что влечёт за
собой по сравнению с другими лазерами существенно бо́льшую
расходимость излучения (20÷40° в плоскости, перпендикулярной
плоскости активного слоя и параллельной меньшей стороне p−n перехода).
Однако разнообразные технологические приёмы, увеличивающие размер
пучка на выходе диода, и применение коллимирующей оптики
(цилиндрических линз) позволяют уменьшить расходимость до 0,6÷3,0°.
Сфазированные диодные линейки или решётки имеют увеличенный
размер пучка и сниженную расходимость в дальней зоне (вплоть до 0,01°).
31