185
роботы нового типа, увеличить надежность, безопасность и эффективность
устройств, автоматизировать сложные технологические процессы.
Применение комплекса электронных приборов для космических
систем, полупроводниковых приборов для аппаратуры связи, индикаторных
и других устройств имеет огромный экономический эффект.
В производстве микроэлектронных схем и полупроводниковых
приборов используется широкий комплекс материалов. К ним относятся
металлы и сплавы, различные растворы, в состав которых входят вещества
органической и неорганической природы, полимерные материалы, керамика,
фарфор, стекла и полупроводниковые материалы. Полупроводниковые
материалы могут использоваться в виде поликристаллов, аморфных
спеченных порошков, монокристаллов и эпитаксиальных пленок. В
эпитаксиальных пленках структура решетки полученного слоя является
точной копией структуры кристалла подложки.
Полупроводниковые материалы делятся на элементарные и сложные. К
элементарным относятся: кремний, германий, некоторые модификации бора,
углерода, фосфора, мышьяка, сурьмы, висмута, серы, селена, теллура, йода; к
сложным - оксиды (Cu
2
O, Mn
3
O
4
, Al
2
O
3
, ZnO, CdO), сульфиды (PbS, CdS,
ZnS, Bi
2
S
3
), селениды и теллуриды (CdSe, PbSe, HgSe, CdTe, PbTe, Bi
2
Te
3
),
арсениды (GaAs, InAs), фосфиды (GaP, InP), стеклообразные сплавы
As
2
S
3
, As
2
Se
3
, сложные твердые растворы Cd - HgTe, PbTe - SnTe и др.
Многие из этих веществ являются вредными, что необходимо
учитывать как при синтезе полупроводниковых материалов, так и
выращивании монокристаллов и эпитаксиальных пленок, создании p-n
переходов, оксидных слоев, травлении поверхности, проведении различных
операций при изготовлении полупроводниковых устройств. Например,
соединения германия - слабые яды, оксид германия GeO
2
является уже
токсичным веществом. Токсичными свойствами обладают также мышьяк,
кадмий, свинец и их соединения, арсениды, теллуриды, селениды и др.
При получении монокристаллических образцов и пленок
полупроводниковых веществ и соединений применяются различные методы:
выращивание монокристаллов вытягиванием из расплава, из раствора в
расплаве, из газовой фазы, методы зонной плавки и др.
Для получения полупроводниковых веществ в виде монокристаллов
определенной кристаллографической ориентации, которая обеспечивает
требуемые электрофизические свойства, процесс осуществляется с
применением затравки. При использовании, например, газофазного метода
одновременно образуется большое число кристаллов на стенках кварцевого
реактора, которые не отвечают требованиям по размерам, ориентации и
свойствам. Выделяющиеся на выходе из реактора газообразные вещества
загрязнены примесями. Сам реактор после однократного или многократного
использования становится непригодным для дальнейшего применения.
Таким образом возникают твердые, жидкие и газообразные отходы и
проблемы их очистки и утилизации.