Автореферат диссертации на соискание ученой
степени кандидата химических наук. Работа выполнена на Факультете
наук о материалах и кафедре неорганической химии Химического
факультета Московского Государственного Университета
им.М.В.Ломоносова. М.: МГУ, 2001, 21 с.
Специальность: 02.00.21 – химия твердого тела. Целью работы являлся синтез гетероструктур на основе нанокристаллических оксидов металлов и исследование их газовой чувствительности.
Основные задачи работы включали:
синтез нанокристаллических тонких пленок SnO2, ZnO, In2O3 и гетероструктур SnO2/Si методом реактивного магнетронного распыления;
исследование фазового состава, микроструктуры и электрофизических свойств синтезированных нанокристаллических пленок;
исследование электрофизических свойств гетероструктур SnO2/Si и SnO2/SiO2/Si;
изучение процессов взаимодействия гетероструктур SnO2/Si и SnO2/SiO2/Si с газовой фазой, содержащей различные молекулы (этанол, аммиак и диоксид азота);
построение модели, описывающей механизм газовой чувствительности в гетероструктурах.
им.М.В.Ломоносова. М.: МГУ, 2001, 21 с.
Специальность: 02.00.21 – химия твердого тела. Целью работы являлся синтез гетероструктур на основе нанокристаллических оксидов металлов и исследование их газовой чувствительности.
Основные задачи работы включали:
синтез нанокристаллических тонких пленок SnO2, ZnO, In2O3 и гетероструктур SnO2/Si методом реактивного магнетронного распыления;
исследование фазового состава, микроструктуры и электрофизических свойств синтезированных нанокристаллических пленок;
исследование электрофизических свойств гетероструктур SnO2/Si и SnO2/SiO2/Si;
изучение процессов взаимодействия гетероструктур SnO2/Si и SnO2/SiO2/Si с газовой фазой, содержащей различные молекулы (этанол, аммиак и диоксид азота);
построение модели, описывающей механизм газовой чувствительности в гетероструктурах.