М.: Металлургия, 1973. — 168 с.
В сборник вошли работы по физико-химическому исследованию процессов
получения халькогенидов цинка, кадмия и ртути, а также результаты
изучения структурных дефектов, диффузии и самодиффузии в
халькогенидах, состава пара над ними и поведения расплавов.
Содержание
ПРАКТИКА ГЛУБОКОЙ ОЧИСТКИ И ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПРИМЕСЕЙ
Ванюков А.В., Макарова А.Н., Сыромятникова А.С., Ахматова Т.Т., Масленников В.А. К исследованию глубокой очистки металлов ректификацией
Ванюков А.В., Паремузов Е.П, Керножицкий В.К. Получение чистого селена через его оксихлорид
Яковлева В.Г. Методы химико-аналитического контроля чистоты полупроводниковых соединений АIIВVI и исходных компонентов
Яковлева В.Г., Дворцан А.Г., Малкина Э.И. Химико-спектральное определение примесей в сульфиде кадмия
Шашурин Ю.С. Определение микроколичеств золота и кадмия в амальгамах с использованием радиоактивных индикаторов
Михайлов В.А., Голубцов В.В., Красулинa Б.С. Определение эффективных коэффициентов распределения меди и серебра в теллуриде кадмия высокой чистоты
Михайлов В.А., Тихонов С.С., Семенова И.Б., Красулинa Б.С. Изучение поведения примесей при направленной кристаллизации теллурида кадмия
ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ
Ванюков А.В., Офицеров А.А., Макарова А.Н., Сыромятникова А.С. Методика определения поверхностного натяжения металлов и сплавов с высокой упругостью паров в равновесных условиях и в условиях массопередачи через поверхность раздела фаз
Иванов Ю.М., Ванюков А.В. Исследование сублимации халькогенидов кадмия
Иванов Ю.М., Каллер Я.А. Изучение испарения мышьяка и цинка из сплавов на основе кадмия
Ванюков А.В., Абрамов А.А., Лункина Г.А., Kузьмина С.Я., Горский В.В., Люкманов В.Б. Изучение парциальных давлений компонентов в системе Cd-Те методом оптического поглощения
Красулин Г.А. Определение молекулярной массы пара и коэффициента испарения сульфида кадмия
Ванюков А.В., Андреев В.М., Менэелинцев Б.И. Изучение скорости испарения сульфида кадмия с помощью термомикроскопа
Дмитриева Н.В., Люкманов В.Б, Заитов Ф.А. Исследование диффузии компонентов и некоторых примесей в селениде и теллуриде кадмия радиоизотопным методом
Ванюков А.В., Быстров В.П., Лопаткина И.Л., Камьянов В.К., Фадин В.Г. Исследование структурно чувствительных физико-химических свойств расплавов системы ртуть-теллур
Лопаткина И.Л., Быстров В.П. Влияние замещения ртути кадмием и цинком на физико-химические свойства расплава HgTe
Лопаткина И.Л., Быстров В.П. Влияние замещения ртути кадмием и цинком на физико-химические свойства расплава HgTe
Лопаткина И.Л., Быстров В.П., Ванюков А.В. Физико-химические свойства расплава HgSe
Безбородова В.М., Бублик В.П., Столяров О.Г., Инденбаум Г.В. Определение области гомогенности HgSe по результатам измерений периода решётки и плотности
ПОЛУЧЕНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ И ПЛЕНОК
Ванюков А.В., Безбородова В.М., Инденбаум Г.В. Дефекты стехиометрии в селениде ртути и регулирование свойств кристаллов этого соединения в процессе выращивания из расплава и при последующем отжиге в парах компонентов
Инденбаум Г.В., Безбородова В.М., Бойных Н.М. Зависимость субструктуры монокристаллов HgSe от условий их роста из расплава
Яковлева B.Г., Фигельсон Ю.А., Педос С.И., Бойных Н.М., Инденбаум Г.В. Химико-аналитический метод контроля состава кристаллов CdsHg1-xTe и метод выявления неоднородности состава этих кристаллов с помощью металлографического наблюдения картины травления
Ванюков А.В., Кротов И.И. Физико-химическая оценка параметров процесса выращиваниия пленок полупроводниковых соединений АIIВVI методом кристаллизации из пapo-газовой фазы в проточных системах
Ванюков А.В., Красулин Г.А., Миацаканян Н.Т., Токмаков В.В. Распределение пересыщения паровой фазы вдоль зоны осаждения при выращивании пленок сульфида кадмия газотранспортным методом в потоке водорода
Красулин Г.А., Данилов А.А., Семушкин В.П. Прямое вакуумное осаждение пьезоэлектрических пленок сульфида и селенида кадмия
Гройс А.Ш. Подвижность электронов как критерий совершенства кристаллов типа АIIВVI
Ванюков А.В., Инденбаум Г.В., Бароненкова Р.П., Юхтанов Е.Д., Меньшенин Ю.А. Дислокационная субструктура кристаллов CdTe, полученных вертикальной зонной плавкой
Бароненкова Р.П., Инденбаум Г.В., Ванюков А.В. Изменение дислокационной субструктуры CdTe при отжиге
ПРАКТИКА ГЛУБОКОЙ ОЧИСТКИ И ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПРИМЕСЕЙ
Ванюков А.В., Макарова А.Н., Сыромятникова А.С., Ахматова Т.Т., Масленников В.А. К исследованию глубокой очистки металлов ректификацией
Ванюков А.В., Паремузов Е.П, Керножицкий В.К. Получение чистого селена через его оксихлорид
Яковлева В.Г. Методы химико-аналитического контроля чистоты полупроводниковых соединений АIIВVI и исходных компонентов
Яковлева В.Г., Дворцан А.Г., Малкина Э.И. Химико-спектральное определение примесей в сульфиде кадмия
Шашурин Ю.С. Определение микроколичеств золота и кадмия в амальгамах с использованием радиоактивных индикаторов
Михайлов В.А., Голубцов В.В., Красулинa Б.С. Определение эффективных коэффициентов распределения меди и серебра в теллуриде кадмия высокой чистоты
Михайлов В.А., Тихонов С.С., Семенова И.Б., Красулинa Б.С. Изучение поведения примесей при направленной кристаллизации теллурида кадмия
ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ
Ванюков А.В., Офицеров А.А., Макарова А.Н., Сыромятникова А.С. Методика определения поверхностного натяжения металлов и сплавов с высокой упругостью паров в равновесных условиях и в условиях массопередачи через поверхность раздела фаз
Иванов Ю.М., Ванюков А.В. Исследование сублимации халькогенидов кадмия
Иванов Ю.М., Каллер Я.А. Изучение испарения мышьяка и цинка из сплавов на основе кадмия
Ванюков А.В., Абрамов А.А., Лункина Г.А., Kузьмина С.Я., Горский В.В., Люкманов В.Б. Изучение парциальных давлений компонентов в системе Cd-Те методом оптического поглощения
Красулин Г.А. Определение молекулярной массы пара и коэффициента испарения сульфида кадмия
Ванюков А.В., Андреев В.М., Менэелинцев Б.И. Изучение скорости испарения сульфида кадмия с помощью термомикроскопа
Дмитриева Н.В., Люкманов В.Б, Заитов Ф.А. Исследование диффузии компонентов и некоторых примесей в селениде и теллуриде кадмия радиоизотопным методом
Ванюков А.В., Быстров В.П., Лопаткина И.Л., Камьянов В.К., Фадин В.Г. Исследование структурно чувствительных физико-химических свойств расплавов системы ртуть-теллур
Лопаткина И.Л., Быстров В.П. Влияние замещения ртути кадмием и цинком на физико-химические свойства расплава HgTe
Лопаткина И.Л., Быстров В.П. Влияние замещения ртути кадмием и цинком на физико-химические свойства расплава HgTe
Лопаткина И.Л., Быстров В.П., Ванюков А.В. Физико-химические свойства расплава HgSe
Безбородова В.М., Бублик В.П., Столяров О.Г., Инденбаум Г.В. Определение области гомогенности HgSe по результатам измерений периода решётки и плотности
ПОЛУЧЕНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ И ПЛЕНОК
Ванюков А.В., Безбородова В.М., Инденбаум Г.В. Дефекты стехиометрии в селениде ртути и регулирование свойств кристаллов этого соединения в процессе выращивания из расплава и при последующем отжиге в парах компонентов
Инденбаум Г.В., Безбородова В.М., Бойных Н.М. Зависимость субструктуры монокристаллов HgSe от условий их роста из расплава
Яковлева B.Г., Фигельсон Ю.А., Педос С.И., Бойных Н.М., Инденбаум Г.В. Химико-аналитический метод контроля состава кристаллов CdsHg1-xTe и метод выявления неоднородности состава этих кристаллов с помощью металлографического наблюдения картины травления
Ванюков А.В., Кротов И.И. Физико-химическая оценка параметров процесса выращиваниия пленок полупроводниковых соединений АIIВVI методом кристаллизации из пapo-газовой фазы в проточных системах
Ванюков А.В., Красулин Г.А., Миацаканян Н.Т., Токмаков В.В. Распределение пересыщения паровой фазы вдоль зоны осаждения при выращивании пленок сульфида кадмия газотранспортным методом в потоке водорода
Красулин Г.А., Данилов А.А., Семушкин В.П. Прямое вакуумное осаждение пьезоэлектрических пленок сульфида и селенида кадмия
Гройс А.Ш. Подвижность электронов как критерий совершенства кристаллов типа АIIВVI
Ванюков А.В., Инденбаум Г.В., Бароненкова Р.П., Юхтанов Е.Д., Меньшенин Ю.А. Дислокационная субструктура кристаллов CdTe, полученных вертикальной зонной плавкой
Бароненкова Р.П., Инденбаум Г.В., Ванюков А.В. Изменение дислокационной субструктуры CdTe при отжиге