Учебное пособие для вузов. — 2-е изд., перераб. и доп. — М.: Высшая
школа, 1975. — 302 с.: ил.
В книге изложены основы химии полупроводников, включая
представления о зонах валентной проводимости, природе химической
связи, нарушении стехиометрического состава и фазовых свойствах
полупроводников, а также физико-химический анализ полупроводниковых
систем. Описаны методы получения поли- и монокристаллов
полупроводниковых материалов, их химические, физико-химические,
электрические и оптические свойства. Наряду с элементарными
полупроводниками (германием, кремнием и др.) подробно исследуются
многочисленные бинарные полупроводниковые соединения, а такж:
некристаллические полупроводники (стеклообразные и жидкие).
Обсуждены современные методы очистки и контроля чистоты
полупроводниковых материалов, а также рассмотрены процессы
травления полупроводников.
Предисловие.
Введение.
Физико-химические основы полупроводников
Общие сведения о полупроводниках.
Электропроводность металлов.
Элементы зонной теории.
Металлы, изоляторы, полупроводники.
Статистика электронов в полупроводниках.
Температурная зависимость электропроводности.
Закон действия масс.
Химическая связь в полупроводниках.
Механизм собственной и примесной проводимости.
Дефекты.
Краткие характеристики некоторых физических свойств.
Получение, очистка, контроль чистоты полупроводников
Особочистые вещества и монокристаллы.
Методы получения полупроводниковых материалов.
Методы очистки.
Равновесный и эффективный коэффициент распределения.
Методы вытягивания Чохральского.
Зонная перекристаллизация.
Методы концентрирования примесей и определения чистоты полупроводников.
Элементарные полупроводники
Химическая классификация полупроводников.
Получение и очистка германия.
Физические и химические свойства германия.
Металлохимические свойства.
Некоторые электрофизические свойства германия.
Получение и очистка кремния.
Физические и химические свойства кремния.
Некоторые электрофизические свойства кремния.
Серое олово.
Алмаз и графит.
Селен и теллур.
Бор.
Полупроводниковые соединения типа AIII BV
Общая характеристика.
Антимонид алюминия.
Антимонид галлия.
Антимонид индия.
Арсенид алюминия.
Арсенид галлия.
Арсенид индия.
Фосфид алюминия.
Фосфид галлия.
Фосфид индия.
Другие соединения типа AIII BV.
Обзор соединений типа AIII BV.
Полупроводниковые оксиды и халькогениды
Окись меди (I).
Окись цинка.
Оксиды переходных металлов.
Оксиды простых металлов.
Халькогениды металлов подгруппы цинка.
Халькогениды элементов подгруппы германия.
Халькогениды элементов подгруппы мышьяка.
Халькогениды алюминия, галлия и индия.
Халькогениды других металлов.
Другие бинарные полупроводниковые соединения
Соединения AI BV.
Соединения AII BIV.
Соединения AII BV.
Антимониды переходных металлов.
Силициды и карбиды.
Физико-химический анализ полупроводников
Способы изображения макро- и микроучастков диаграмм состояния.
Изобарические сечения Р-Т-х-диаграмм.
Проекции Р-Т-х-диаграмм.
Проекции Р—Т—х-диаграмм с двумя летучими компонентами.
Методы построения Р—Т—х-диаграмм.
Непрерывные твердые растворы элементарных полупроводников.
Непрерывные твердые растворы соединений AIII BV.
Непрерывные твердые растворы соединений AII BVI.
Другие системы с полным изовалентным замещением.
Полное гетеровалентное замещение.
Новый тип полного гетеровалентного замещения.
Другие системы с неограниченными твердыми растворами.
Некристаллические полупроводники
Аморфное, стеклообразное и кристаллическое состояние вещества.
Критерии стеклообразования.
Неорганические стеклообразователи.
Халь-когенидные стекла.
Свойства оксидных стекол.
Жидкие полупроводники.
Травление полупроводников
Способы травления.
Природа процессов травления.
Количественная характеристика травления.
Состав травителей.
Травление элементарных полупроводников германия и кремния.
Травление германия в кислотном травителе СР-4
Травление полупроводниковых соединений типа AIII BV.
Электрохимическое травление.
Практическое использование различий картин травления.
Литература
Предметный указатель
Введение.
Физико-химические основы полупроводников
Общие сведения о полупроводниках.
Электропроводность металлов.
Элементы зонной теории.
Металлы, изоляторы, полупроводники.
Статистика электронов в полупроводниках.
Температурная зависимость электропроводности.
Закон действия масс.
Химическая связь в полупроводниках.
Механизм собственной и примесной проводимости.
Дефекты.
Краткие характеристики некоторых физических свойств.
Получение, очистка, контроль чистоты полупроводников
Особочистые вещества и монокристаллы.
Методы получения полупроводниковых материалов.
Методы очистки.
Равновесный и эффективный коэффициент распределения.
Методы вытягивания Чохральского.
Зонная перекристаллизация.
Методы концентрирования примесей и определения чистоты полупроводников.
Элементарные полупроводники
Химическая классификация полупроводников.
Получение и очистка германия.
Физические и химические свойства германия.
Металлохимические свойства.
Некоторые электрофизические свойства германия.
Получение и очистка кремния.
Физические и химические свойства кремния.
Некоторые электрофизические свойства кремния.
Серое олово.
Алмаз и графит.
Селен и теллур.
Бор.
Полупроводниковые соединения типа AIII BV
Общая характеристика.
Антимонид алюминия.
Антимонид галлия.
Антимонид индия.
Арсенид алюминия.
Арсенид галлия.
Арсенид индия.
Фосфид алюминия.
Фосфид галлия.
Фосфид индия.
Другие соединения типа AIII BV.
Обзор соединений типа AIII BV.
Полупроводниковые оксиды и халькогениды
Окись меди (I).
Окись цинка.
Оксиды переходных металлов.
Оксиды простых металлов.
Халькогениды металлов подгруппы цинка.
Халькогениды элементов подгруппы германия.
Халькогениды элементов подгруппы мышьяка.
Халькогениды алюминия, галлия и индия.
Халькогениды других металлов.
Другие бинарные полупроводниковые соединения
Соединения AI BV.
Соединения AII BIV.
Соединения AII BV.
Антимониды переходных металлов.
Силициды и карбиды.
Физико-химический анализ полупроводников
Способы изображения макро- и микроучастков диаграмм состояния.
Изобарические сечения Р-Т-х-диаграмм.
Проекции Р-Т-х-диаграмм.
Проекции Р—Т—х-диаграмм с двумя летучими компонентами.
Методы построения Р—Т—х-диаграмм.
Непрерывные твердые растворы элементарных полупроводников.
Непрерывные твердые растворы соединений AIII BV.
Непрерывные твердые растворы соединений AII BVI.
Другие системы с полным изовалентным замещением.
Полное гетеровалентное замещение.
Новый тип полного гетеровалентного замещения.
Другие системы с неограниченными твердыми растворами.
Некристаллические полупроводники
Аморфное, стеклообразное и кристаллическое состояние вещества.
Критерии стеклообразования.
Неорганические стеклообразователи.
Халь-когенидные стекла.
Свойства оксидных стекол.
Жидкие полупроводники.
Травление полупроводников
Способы травления.
Природа процессов травления.
Количественная характеристика травления.
Состав травителей.
Травление элементарных полупроводников германия и кремния.
Травление германия в кислотном травителе СР-4
Травление полупроводниковых соединений типа AIII BV.
Электрохимическое травление.
Практическое использование различий картин травления.
Литература
Предметный указатель