Одесса: Политехпериодика. — 68 с.
Основан в 1977 г. Одесским научно-исследовательским технологическим
институтом "Темп" как отраслевой научно-технический сборник
Министерства промышленности средств связи СССР "Техника средств
связи. Серия ТПО". В 1991 г. преобразован в межотраслевой и
зарегистрирован как научно-технический журнал СССР "Технология и
конструирование в электронной аппаратуре". В 1992 г.
перерегистрирован как СМИ Украины под тем же названием.
Журнал включен в международную справочную систему по периодическим и продолжающимся изданиям Ulrich’s Periodicals Directory (США).
Авторский коллектив — специалисты и ученые предприятий, организаций, вузов Украины, стран СНГ, Балтии и др.
Периодичность — 6 номеров в год.
Тематические рубрики номеров: техническая политика; современные электронные технологии; новые компоненты для электронной аппаратуры; электронные средства: исследования, разработки; системы передачи и обработки сигналов; микропроцессорные устройства и системы; вопросы приборостроения; энергетическая электроника; биомедицинская электроника; сенсоэлектроника; функциональная микро- и наноэлектроника; обеспечение тепловых режимов; технологические процессы и оборудование; материалы электроники; метрология, стандартизация; к истории науки и техники; новые книги. Электронные средства: исследования, разработки
Применение технологии тонких пленок и наноструктурированных материалов при изготовлении теплонагруженных печатных плат. Сахно Э. А., Балашов М. А., Жиликов В. В., Лобасов Д. В.
Термовакуумные испытания системы электроснабжения наноспутника НТУУ «КПИ». Рассамакин Б. М., Хайрнасов С. М., Хоминич В. И., Буденный А. В., Коваленко Е. Ю., Елисеева Е. Н.
Сенсоэлектроника
Низкоразмерные кристаллы кремния для фотоэлектрических преобразователей. Дружинин А. А., Островский И. П., Ховерко Ю. Н., Ничкало С. И., Бережанский Е. И.
Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза. Алтухов А. А., Афанасьев М. С., Зяблюк К. Н., Митягин А. Ю., Талипов Н. Х., Чучева Г. В.
Функциональная микро- и наноэлектроника
Интегральные двухсторонние кремниевые микростриповые детекторы. Перевертайло В. Л.
Методика и установка для определения теплопроводности полупроводников с использованием лучистой энергии. Гурбанниязов М. А., Курбанов М. А.
Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs. Гаркавенко А. С.
Материалы электроники
Межслоевые примесные нанокомпозиты поверхности (0001) кристалла Bi2Te3, легированного цинком и селеном. Алиева А. П., Алескеров Ф. К., Кахраманов С. Ш.
Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb. Андронова Е. В., Баганов Е. А., Курак В. В.
Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний». Смынтына В. А., Кулинич О. А., Яцунский И. Р., Свиридова О. В., Марчук И. А.
СВЧ-техника
Автодинные характеристики стабилизированных СВЧ-генераторов при сильном отраженном сигнале. Носков В. Я., Игнатков К. А., Смольский С. М.
Журнал включен в международную справочную систему по периодическим и продолжающимся изданиям Ulrich’s Periodicals Directory (США).
Авторский коллектив — специалисты и ученые предприятий, организаций, вузов Украины, стран СНГ, Балтии и др.
Периодичность — 6 номеров в год.
Тематические рубрики номеров: техническая политика; современные электронные технологии; новые компоненты для электронной аппаратуры; электронные средства: исследования, разработки; системы передачи и обработки сигналов; микропроцессорные устройства и системы; вопросы приборостроения; энергетическая электроника; биомедицинская электроника; сенсоэлектроника; функциональная микро- и наноэлектроника; обеспечение тепловых режимов; технологические процессы и оборудование; материалы электроники; метрология, стандартизация; к истории науки и техники; новые книги. Электронные средства: исследования, разработки
Применение технологии тонких пленок и наноструктурированных материалов при изготовлении теплонагруженных печатных плат. Сахно Э. А., Балашов М. А., Жиликов В. В., Лобасов Д. В.
Термовакуумные испытания системы электроснабжения наноспутника НТУУ «КПИ». Рассамакин Б. М., Хайрнасов С. М., Хоминич В. И., Буденный А. В., Коваленко Е. Ю., Елисеева Е. Н.
Сенсоэлектроника
Низкоразмерные кристаллы кремния для фотоэлектрических преобразователей. Дружинин А. А., Островский И. П., Ховерко Ю. Н., Ничкало С. И., Бережанский Е. И.
Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза. Алтухов А. А., Афанасьев М. С., Зяблюк К. Н., Митягин А. Ю., Талипов Н. Х., Чучева Г. В.
Функциональная микро- и наноэлектроника
Интегральные двухсторонние кремниевые микростриповые детекторы. Перевертайло В. Л.
Методика и установка для определения теплопроводности полупроводников с использованием лучистой энергии. Гурбанниязов М. А., Курбанов М. А.
Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs. Гаркавенко А. С.
Материалы электроники
Межслоевые примесные нанокомпозиты поверхности (0001) кристалла Bi2Te3, легированного цинком и селеном. Алиева А. П., Алескеров Ф. К., Кахраманов С. Ш.
Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb. Андронова Е. В., Баганов Е. А., Курак В. В.
Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний». Смынтына В. А., Кулинич О. А., Яцунский И. Р., Свиридова О. В., Марчук И. А.
СВЧ-техника
Автодинные характеристики стабилизированных СВЧ-генераторов при сильном отраженном сигнале. Носков В. Я., Игнатков К. А., Смольский С. М.