Рейви К. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии

Пер. с англ. — М.:. Мир, 1984. — 475 с.: ил. Фундаментальная монография известного американского автора посвящена технологии получения полупроводникового кремния высокой чистоты, используемого для производства интегральных микросхем и полупроводниковых приборов различного назначения. Исследовано влияние дефектов и примесей на электрические свойства кристаллов кремния.
Для специалистов в области материаловедения и производства полупроводниковых материалов и приборов. Предисловие редактора перевода.
Предисловие.
Благодарности.
Методы получения кремния
Получение поликристаллического кремния.
Выращивание монокристаллов.
Изготовление пластин.
Изготовление приборов
Окисление.
Диффузия.
Эпитаксия.
Ионная имплантация.
Литография.
Травление.
Металлизация.
Последовательность изготовления приборов.
Процессы дефектообразования в кремнии
Выращивание кристаллов.
Окисление.
Диффузия.
Эпитаксия.
Ионная имплантация (ионное легирование).
Методы исследования
Электрические измерения.
Химический анализ.
Физические методы.
Влияние дефектов на электрические свойства
Влияние кристаллографических дефектов и примесей на перенос носителей.
Влияние кристаллографических дефектов на р-д-переходы.
Влияние кристаллографических дефектов на параметры биполярных транзисторов.
Влияние кристаллографических дефектов на М0П-приборы.
Интегральные схемы (ИС).
Солнечные элементы.
Бездефектная технология приборов
Получение материала.
Влияние технологических операций.
Дефекты в приборах.
Некоторые тенденции и перспективы
Литература
Предметный указатель