Петров Т.Г. и др. Выращивание кристаллов из растворов

Ленинградское газетно-журнальное издательство, 1945.- 83 с. Предисловие К теории скоростного выращивания однородных кристаллов Скоростное выращивание кристаллов по методу А.А.Штернберга Скоростное выращивание кристаллов методом эксцентричного вращения (В.Б.Татарского) Упоминаемая литература

Отв. ред. - акад. АН СССР Буслаев Ю.А. - Дониш, 1986. - 247 с. В монографии рассматриваются методы выращивания лазерных диэлектрических кристаллов. Рассмотрение и систематизация методов ведётся с позиций, предъявляемых современной техникой к активным материалам твёрдотельных лазеров. Поэтому данную работу можно рассматривать как введение в материаловедение твёрдотельной квантовой электроники. С целью лучшей иллюстрации материала в работе приводят...

М.: Наука, 1980. - 408 с. Третий том посвящен научным и практическим вопросам образования кристаллов. В первой части систематически изложены основные представления о фундаментальных явлениях кристаллизации. Здесь рассмотрены: термодинамические движущие силы кристаллизации; структура фазовой границы между кристаллом и его паром, раствором и расплавом; образование зародышей в объемах переохлажденных фаз и на твердых поверхностях; эпитаксия; кинетик...

Пер. с англ. -М.: Мир, 1991. -143 с, ил. В монографии рассматриваются конвективные процессы при выращивании из расплавов полупроводниковых кристаллов методами Бриджмена, зонной плавки, Чохральского. На основе экспериментальных данных и численного моделирования уравнений Навье-Стокса изучается структура полей течений и температуры и выясняются причины макро- и микронеоднородвостей в распределении примесей, обусловленных тепловой гравитационной ко...

М.: Наука, 1978. -268 с. Монография посвящена разработке научных основ выращивания кристаллов из растворов. Рассмотрены теоретические основы представления о растворимости и кристаллизации. Основные технологические параметры кристаллизации связываются с морфологией и механизмом роста кристаллов.

М. Наука, 1978. 268 с. Монография посвящена разработке научных основ выращивания кристаллов из растворов. Рассмотрены теоретические основы представления о растворимости и кристаллизации. Основные технологические параметры кристаллизации связываются с морфологией и механизмом роста кристаллов.

ИЛ, 1961. -210 с. Учение о росте кристаллов значительно менее стройный и разработанный раздел науки о кристаллах, чем геометрическая кристаллография, кристаллофизика и кристаллохимия. Современные обзоры показывают, насколько разнороден и нередко противоречив тот теоретический и экспериментальный материал, который составляет его содержание. Тем не менее роль этой области знания очень велика. На ней основывается искусственное выращивание техническ...

Учеб. пособие для втузов. 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Высшая шк. , 1984. - 376 с., ил. Симметрия кристаллов. Симметрия структуры кристаллов. Кристаллохимия. Физические свойства кристаллов. Физика реальных кристаллов. Рост кристаллов.

АН СССР. М. -Л. 1935. 176 с. Предисловие Общие сведения о кристаллах Природная форма кристаллов Закон постоянства углов Идеальная форма кристаллов Простые формы и комбинации Симметрия простых форм Строение кристаллов Параллелепипедальная система точек Закон целых чисел Симметрия строения кристаллов Связь между симметрией элементарной ячейки и симметрией строения Энантиоморфизм Двойники и закономерные сростки Закон кристаллической однородности Сим...

М.-Л.: Изд. Ан ссср, 1947. - 74 с. Оглавление. Введение. Основные свойства кристаллов. Естественные формы кристаллов. Постоянство углов кристаллических многогранников. Симметрия кристаллических многогранников. Самозарождение и рост кристаллов. Постоянство температуры плавления кристаллов. Спайность. Решетчатое строение кристаллов. Анизотропия физических свойств кристаллов. Упругость кристаллов. Двойное преломление. Пироэлектричество кристаллов....