3-е изд., испр. и доп. М. Высш. школа. 1982. 528 с.
Рассматриваются физико-химические и кристаллохимические аспекты теории полупроводников: элементы теории симметрии и теории кристаллической решетки, физико-химического, рентгенографического, электронографического и нейтронографического фазового анализа, химической термодинамики и кинетики. Особое внимание уделено влиянию термодинамических условий синтеза на свойства полупроводниковых материалов и проблеме зависимости между их энергетическими, механическими и электрохимическими свойствами. Третья издание (2-е вышло в 1973 г. ) существенно переработано и дополнено новыми данными (фазовые переходы в жидких кристаллах, ионное внедрение в полупроводники).
Предназначается для студентов высших технических учебных заведений.
Рассматриваются физико-химические и кристаллохимические аспекты теории полупроводников: элементы теории симметрии и теории кристаллической решетки, физико-химического, рентгенографического, электронографического и нейтронографического фазового анализа, химической термодинамики и кинетики. Особое внимание уделено влиянию термодинамических условий синтеза на свойства полупроводниковых материалов и проблеме зависимости между их энергетическими, механическими и электрохимическими свойствами. Третья издание (2-е вышло в 1973 г. ) существенно переработано и дополнено новыми данными (фазовые переходы в жидких кристаллах, ионное внедрение в полупроводники).
Предназначается для студентов высших технических учебных заведений.