За ред. І. Олексеюка. -Луцьк: В-во “Вежа” Волин. держ. ун-ту, 1999.
Т. 1. — 168 с.
Рассмотрены фазовые равновесия в квазитройных системах A2X-C2X3-DX2, BX-C2X3-DX2, A2X-BX-C2X3, A2X-BX-DX2, где A1=Cu,Ag; B2=Zn, Cd, Hg; C=Ga, In; D=Si, Ge, Sn; X=S, Se, Te, а также у квазидвойных, их образующих. В системах установлено существование большого количества тернарных и тетрарных промежуточных фаз, широких областей твердых растворов. Приведены их кристалло- и физико-химические характеристики. Для систем построены политермические сечения, изотермические разрезы, проекции поверхностей ликвидуса, пространственные диаграммы состояния, являющиеся критериями выбора методов, химико-технологических условий синтеза, роста кристаллов, получения стеклообразных и композитных материалов полупроводниковой техники, нелинейной оптики, акустооптики и других отраслей. Рассчитано на специалистов по химии, физике, технологии полупроводниковы материалов, научных сотрудников, аспирантов и студентов, специализирующихся в области неорганической химии, физики твердого тела и полупроводникового материаловедения.
Рассмотрены фазовые равновесия в квазитройных системах A2X-C2X3-DX2, BX-C2X3-DX2, A2X-BX-C2X3, A2X-BX-DX2, где A1=Cu,Ag; B2=Zn, Cd, Hg; C=Ga, In; D=Si, Ge, Sn; X=S, Se, Te, а также у квазидвойных, их образующих. В системах установлено существование большого количества тернарных и тетрарных промежуточных фаз, широких областей твердых растворов. Приведены их кристалло- и физико-химические характеристики. Для систем построены политермические сечения, изотермические разрезы, проекции поверхностей ликвидуса, пространственные диаграммы состояния, являющиеся критериями выбора методов, химико-технологических условий синтеза, роста кристаллов, получения стеклообразных и композитных материалов полупроводниковой техники, нелинейной оптики, акустооптики и других отраслей. Рассчитано на специалистов по химии, физике, технологии полупроводниковы материалов, научных сотрудников, аспирантов и студентов, специализирующихся в области неорганической химии, физики твердого тела и полупроводникового материаловедения.