Учебное пособие для курсов лекций и лабораторных работ по
дисциплине Расчет и проектирование элементов интегральных схем и
полупроводниковых приборов, Основы САПР в микроэлектронике,
Моделирование технологических процессов микроэлектроники для
студентов специальности 41 01 02 Микро- и наноэлектронные
технологии и системы,
41 01 03 Квантовые информационные системы всех форм обучения. - Мн.: БГУИР, 2004.- 102 c.: ил.
ISBN 985-444-556-9
В пособии приведено описание физических моделей, используемых в программном комплексе ATHENA фирмы Silvaco для компьютерного моделирования, проектирования и оптимизации технологических процессов формирования приборов микроэлектроники, а также технологического маршрута изготовления интегральной схемы в целом.
Содержание
Введение
Модели диффузии легирующих примесей
Модели диффузии легирующих примесей в кремнии
Математическое описание диффузии примесей
Общие уравнения
Модель диффузии Ферми
Модель сегрегации примесей
Двухмерная модель диффузии
Модель диффузии связанных пар примесь-дефект
Другие модели диффузии и их расширения
Модель диффузии легирующих примесей в поликремнии
Два потока диффузии примесей в поликремнии
Модель роста зерна поликремния
Модели окисления кремния
Математическое описание процесса окисления кремния
Численная реализация модели окисления кремния
Модель COMPRESS
Модель VISCOUS
Линейная константа скорости окисления
Ориентационная зависимость
Зависимость толщины оксида кремния от давления
Зависимость толщины оксида кремния от содержания хлора
Зависимость толщины оксида кремния от степени легирования
Параболическая константа скорости окисления
Зависимость толщины оксида кремния от давления
Зависимость толщины оксида кремния от содержания хлора
Смешанная окислительная среда
Аналитические модели окисления
Модель формирования силицидов
Модели ионной имплантации
Аналитические модели имплантации
Гауссово распределение ионно-имплантированных примесей
Распределение Пирсона ионно-имплантированных примесей
Моделирование имплантации в многослойную структуру
Построение двухмерных профилей
Моделирование имплантации методом Монте-Карло
Литература
41 01 03 Квантовые информационные системы всех форм обучения. - Мн.: БГУИР, 2004.- 102 c.: ил.
ISBN 985-444-556-9
В пособии приведено описание физических моделей, используемых в программном комплексе ATHENA фирмы Silvaco для компьютерного моделирования, проектирования и оптимизации технологических процессов формирования приборов микроэлектроники, а также технологического маршрута изготовления интегральной схемы в целом.
Содержание
Введение
Модели диффузии легирующих примесей
Модели диффузии легирующих примесей в кремнии
Математическое описание диффузии примесей
Общие уравнения
Модель диффузии Ферми
Модель сегрегации примесей
Двухмерная модель диффузии
Модель диффузии связанных пар примесь-дефект
Другие модели диффузии и их расширения
Модель диффузии легирующих примесей в поликремнии
Два потока диффузии примесей в поликремнии
Модель роста зерна поликремния
Модели окисления кремния
Математическое описание процесса окисления кремния
Численная реализация модели окисления кремния
Модель COMPRESS
Модель VISCOUS
Линейная константа скорости окисления
Ориентационная зависимость
Зависимость толщины оксида кремния от давления
Зависимость толщины оксида кремния от содержания хлора
Зависимость толщины оксида кремния от степени легирования
Параболическая константа скорости окисления
Зависимость толщины оксида кремния от давления
Зависимость толщины оксида кремния от содержания хлора
Смешанная окислительная среда
Аналитические модели окисления
Модель формирования силицидов
Модели ионной имплантации
Аналитические модели имплантации
Гауссово распределение ионно-имплантированных примесей
Распределение Пирсона ионно-имплантированных примесей
Моделирование имплантации в многослойную структуру
Построение двухмерных профилей
Моделирование имплантации методом Монте-Карло
Литература