Молекулярно-пучковая эпитаксия

Лекции. - Владивосток, ДВФУ, 2007. - 182 с. 1 Физика объемных полупроводников Кристаллическая структура и зонная энергетическая структура основных полупроводников Теория донорных (акцепторных) уровней и статистика равновесных носителей. Электрические, оптические и тепловые свойства Максимальная дрейфовая скорость в полупроводниках: стационарная дрейфовая скорость, всплеск дрейфовой скорости 2 Полупроводниковые P-N переходы и гетеропереходы...

Монография. - Тверь, ТГТУ, 2010. - 188 с. Исследуются основные направления развития нанотехнологии в области создания наноматериалов методом химического газофазного осаждения металлоорганических соединений и углеводородов. Представлены результаты изучения термодинамики процессов получения наноструктур, молекулярно-кинетической модели формирования наноразмерных пленок, обоснование выбора исходных реагентов, технологических режимов, оборудования д...

Курс лекций. - Москва, МИСиС, 2008. - 191 с. В курсе лекций рассматриваются принципы построения, организации и функционирования наноразмерных гетерокомпозиций, физико-химические основы метода Ленгмюра - Блоджетт, ионно-плазменного получения пленок аморфного гидрогенизированного кремния, проблемы деградации параметров пленочных структур. Анализируются эффекты размерного квантования в полупроводниковых наноструктурах, закономерности ионно-плазменн...

Практикум. - Нижний Новгород, ННГУ, 2010. - 37 с. Целью практикума является ознакомление на примере гетеропары германий – кремний с физическими и технологическими основами метода молекулярно-пучковой эпитаксии полупроводниковых наноструктур. Работа предназначена для студентов старших курсов физических специальностей, специализирующихся на изучении физики полупроводников.

Электронное методическое пособие. - Нижний Новгород, ННГУ, 2010. - 17 с. В настоящее время на основе полупроводниковых гетероструктур создаются разного рода низкоразмерные системы (квантовые ямы, нити и точки), в которых наряду с изменением физических свойств объектов возникают новые физические эффекты, связанные с пространственным ограничением движения носителей заряда. На основе гетероструктур были созданы и теперь уже являются коммерчески дос...

Москва, МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2007. - 49 с. Рассматриваются процессы изготовления наноструктур различных размерностей. В первой части рассмотрены методы выращивания 2D- наноструктур (нанослоев), 1D-наноструктур (нанонитей) и 0D- наноструктур (наночастиц) с помощью молекулярно лучевой эпитаксии (МЛЭ). Для студентов специальности «Проектирование и технология радиоэлектронных средств».

Утверждены Руководителем Федеральной службы по надзору в сфере защиты прав потребителей и благополучия человека, Главным государственным санитарным врачом Российской Федерации Г. Г. Онищенко 01 июля 2009 г. Методические рекомендации устанавливают требования к выявлению наноматериалов, представляющих потенциальную опасность для здоровья человека, путём прогнозирования их потенциально неблагоприятных биологических эффектов на основе анализа имеющих...

В файле приведены краткие ответы к зачету по нанотехнологиям Вопросы к зачету по предмету «Наноматериалы и нанотехнологии» Какие объекты являются предметом исследования науки, называемой «Нанотехнологией» Приведите одно из наиболее употребляемых определений нанообъекта Что такое волна де Бройля? Почему считается, что волна де Бройля определяет геометрические параметры нанообъектов? Что такое критический размер нанообъекта? Почему количество повер...

М., Мир, 1989 г. 600 стр., перевод с англ. под ред. Алферова Ж. И. и Шмарцева Ю. В. В коллективной монографии ведущих американских и западноевропейских ученых дано изложение физических и технологических аспектов проблемы создания полупроводниковых тонкопленочных структур - одиночных гетеропереходов, структур с квантовыми ямами и сверхрешеток (в том числе квантовых) методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). В книге рассмотрены основные принципы...

Київ, Академперіодика, 2004. - 128 с. Викладено фізичні основи квантових низько розмірних систем, їх властивості та методи одержання. Розглянуто поведінку екситонів у напівпровідниках, низькорозмірних системах (квантових ямах, структурах із квантовими ямами, системах зниженої розмірності, надгратках і надструктурах, квантових нитках і квантових точках), у наноструктурах напівпровідник-діелектрик, тощо. Викладено основи формування наноструктурних...