СПб.: СПбГУ ИТМО, 2010. - 80 с.
Изложены основные представления о процессах роста кристаллов.
Описаны основные методы выращивания монокристаллов и законы
распределения в них примесей. Курс лекций написан с использованием
курса лекций профессора A.А.Майера, прочитанных им в стенах
московского химико-технологического института им. Д.И. Менделеева.
Оглавление:
Кристаллы в науке и технике
Выращивание кристаллов
Термодинамика процесса кристаллизации
Метастабильное состояние системы, предшествующее появлению зародышей
Кинетика кристаллизации
Скорость зарождение центров кристаллизации
Линейная скорость кристаллизации (ЛСК)
Влияние взаимного расположения кривых ЛСК на процесс кристаллизации
Метод принудительной кристаллизации
Суммарная (объемная) скорость кристаллизации
Влияние внешних воздействий на процесс кристаллизации
Влияние звука и ультразвука
Влияние вибрации на рост монокристаллов
Влияние электрического поля на процесс кристаллизации
Влияние магнитного поля
Влияние давления
Влияние рН среды
Влияние затравочного кристалла
Влияние радиации
Скорость роста граней и огранка кристалла
Направления преимущественного роста свободно растущего кристалла
Геометрический отбор (конкурирующий рост)
Использование явления геометрического отбора при выращивании монокристаллов
условия зарастания п разрастания граней свободно растущего кристалла
Пирамиды роста
Влияние различия в скорости роста граней на огранку свободно растущего кристалла
Грани реальные, физически возможные и физически не возможные при свободном росте кристаллов
Закон Браве
Закон Брава и огранка кристаллов со структурой алмаза
Принцип Гиббса Вульфа Кюри
Экспериментальное определение равновесной формы кристалла
Теорема Вульфа
Элементарные процессы роста кристаллов
Тангенциальная скорость роста
Механизм роста кристалла
Рост шероховатых граней
Рост атомарно гладкой грани в результате образования двумерных зародышей
Дислокационный механизм роста атомарно гладких граней
Пирамида роста, обусловленная единичной винтовой дислокацией
Пирамиды роста, образованные на группах дислокаций
Взаимодействие растущего кристалла с примесями
Влияние примесей на скорость роста
Захват примеси при росте кристалла
Элементарные процессы неравновесного захвата примесей
Рост атомарно гладких граней
Кристаллы в науке и технике
Выращивание кристаллов
Термодинамика процесса кристаллизации
Метастабильное состояние системы, предшествующее появлению зародышей
Кинетика кристаллизации
Скорость зарождение центров кристаллизации
Линейная скорость кристаллизации (ЛСК)
Влияние взаимного расположения кривых ЛСК на процесс кристаллизации
Метод принудительной кристаллизации
Суммарная (объемная) скорость кристаллизации
Влияние внешних воздействий на процесс кристаллизации
Влияние звука и ультразвука
Влияние вибрации на рост монокристаллов
Влияние электрического поля на процесс кристаллизации
Влияние магнитного поля
Влияние давления
Влияние рН среды
Влияние затравочного кристалла
Влияние радиации
Скорость роста граней и огранка кристалла
Направления преимущественного роста свободно растущего кристалла
Геометрический отбор (конкурирующий рост)
Использование явления геометрического отбора при выращивании монокристаллов
условия зарастания п разрастания граней свободно растущего кристалла
Пирамиды роста
Влияние различия в скорости роста граней на огранку свободно растущего кристалла
Грани реальные, физически возможные и физически не возможные при свободном росте кристаллов
Закон Браве
Закон Брава и огранка кристаллов со структурой алмаза
Принцип Гиббса Вульфа Кюри
Экспериментальное определение равновесной формы кристалла
Теорема Вульфа
Элементарные процессы роста кристаллов
Тангенциальная скорость роста
Механизм роста кристалла
Рост шероховатых граней
Рост атомарно гладкой грани в результате образования двумерных зародышей
Дислокационный механизм роста атомарно гладких граней
Пирамида роста, обусловленная единичной винтовой дислокацией
Пирамиды роста, образованные на группах дислокаций
Взаимодействие растущего кристалла с примесями
Влияние примесей на скорость роста
Захват примеси при росте кристалла
Элементарные процессы неравновесного захвата примесей
Рост атомарно гладких граней