М.: Наука, 1986. — 144 с.
Анализируются новые тенденции в создании и применении
полупроводников. Рассмотрены закономерности дефектообразования,
особенности текстуированных полупроводников. Для
инженерно-технических и научных работников, связанных с разработкой
и внедрением новой технологии полупроводниковых материалов и
приборов, а также для аспирантов и студентов.
Предисловие.
Совершенные монокристаллы больших диаметров
Основные закономерности дефектообразования при выращивании монокристаллов полупроводников из расплава.
Напряжения и дислокации.
Примесная неоднородность.
Собственные точечные дефекты структуры.
Получение совершенных монокристаллов.
Кремний.
Арсенид галлия.
Фосфид индия.
Эпитаксиальные структуры
Основные закономерности дефектообразования при получении эпитаксиальных структур.
Напряжения и дислокации.
Собственные точечные структурные дефекты.
Распределение примесей.
Возможности создания совершенных гетероструктур.
Гомоэпитаксиальные структуры.
Многослойные композиции с тонкими и сверхтонкими («сверхрешетки») слоями.
Поликристаллические и аморфные полупроводники
Поликристаллические полупроводники.
Аморфные полупроводники.
Заглянем в будущее (вместо заключения)
Список литературы
Совершенные монокристаллы больших диаметров
Основные закономерности дефектообразования при выращивании монокристаллов полупроводников из расплава.
Напряжения и дислокации.
Примесная неоднородность.
Собственные точечные дефекты структуры.
Получение совершенных монокристаллов.
Кремний.
Арсенид галлия.
Фосфид индия.
Эпитаксиальные структуры
Основные закономерности дефектообразования при получении эпитаксиальных структур.
Напряжения и дислокации.
Собственные точечные структурные дефекты.
Распределение примесей.
Возможности создания совершенных гетероструктур.
Гомоэпитаксиальные структуры.
Многослойные композиции с тонкими и сверхтонкими («сверхрешетки») слоями.
Поликристаллические и аморфные полупроводники
Поликристаллические полупроводники.
Аморфные полупроводники.
Заглянем в будущее (вместо заключения)
Список литературы