М.: Металлургия, 1984. — 256 с.: ил.
В книге впервые с единых позиций на основе современных
теоретических представлений рассмотрены вопросы дефектообразования
в монокристаллах полупроводников. Особое внимание уделено
закономерностям формирования дислокационной структуры и генерации
собственных точечных дефектов в монокристаллах непосредственно при
их выращивании, роли взаимодействия дефектов в формировании
реальной структуры кристалла, влиянию различных дефектов на
свойства полупроводников. Основное рассмотрение проведено для
кристаллов с решеткой алмаза и сфалерита, в первую очередь кремния,
германия и соединений АIIIBV хотя установленные закономерности в
большинстве случаев носят общий характер.
Книга предназначена для широкого круга научных и инженерно-технических работников, специализирующихся в области физики, технологии и материаловедения полупроводников, а также приборов и интегральных схем на их основе. Предисловие.
Дислокации в монокристаллах полупроводников
Дислокации и методы их выявления
Типы дислокаций в кристаллах с решеткой алмаза и сфалерита.
Оптические и дифракционные методы наблюдения дислокаций.
Динамика дислокаций и пластическая деформация
Подвижность дислокаций в кристаллах с решеткой алмаза и сфалерита.
Зарождение и размножение дислокаций под действием напряжений.
Закономерности макроскопической пластической деформации.
Влияние легирующих примесей на динамическое поведение дислокаций и пластичность полупроводников.
Расщепленные дислокации.
Возникновение макронапряжений при росте кристаллов полупроводников
Термоупругие напряжения в кристаллах, выращиваемых из расплава.
Остаточные напряжения в кристаллax.
Дислокационная структура реальных кристаллов
Формирование дислокационной структуры в растущем кристалле.
Влияние легирования на дислокационную структуру полупроводников.
Влияние дислокаций на физические свойства полупроводников.
Собственные точечные дефекты структуры
Методы исследования собственных точечных дефектов структуры
Косвенные методы.
Прямые методы.
Расчетные методы.
Особенности дефектообразования в кремнии и германии
Общие свойства дефектов.
Вакансии.
Междоузельные атомы.
Влияние легирующих примесей на дефектообразование.
Влияние условий выращивания на дефектообразование.
Особенности дефектообразования в полупроводниковых соединениях АIIIBV
Типы точечных дефектов.
Область гомогенности.
Влияние условий выращивания и термообработки на дефектообразование.
Особенности дефектообразования в легированных соединениях.
Некоторые кинетические особенности процессов взаимодействия с участием собственных точечных дефектов.
Другие полупроводниковые соединения
Соединения типа АIIBVI.
Соединения типа AIVBVI.
Микродефекты в монокристаллах полупроводников
Микродефекты в бездислокационных монокристаллах кремния.
Структурные превращения в кремнии при термообработке.
Геттерирование точечных дефектов.
Микродефекты в сильно легированных кристаллах полупроводниковых соединений.
Двойникование в полупроводниках (дополнение)
Библиографический список
Книга предназначена для широкого круга научных и инженерно-технических работников, специализирующихся в области физики, технологии и материаловедения полупроводников, а также приборов и интегральных схем на их основе. Предисловие.
Дислокации в монокристаллах полупроводников
Дислокации и методы их выявления
Типы дислокаций в кристаллах с решеткой алмаза и сфалерита.
Оптические и дифракционные методы наблюдения дислокаций.
Динамика дислокаций и пластическая деформация
Подвижность дислокаций в кристаллах с решеткой алмаза и сфалерита.
Зарождение и размножение дислокаций под действием напряжений.
Закономерности макроскопической пластической деформации.
Влияние легирующих примесей на динамическое поведение дислокаций и пластичность полупроводников.
Расщепленные дислокации.
Возникновение макронапряжений при росте кристаллов полупроводников
Термоупругие напряжения в кристаллах, выращиваемых из расплава.
Остаточные напряжения в кристаллax.
Дислокационная структура реальных кристаллов
Формирование дислокационной структуры в растущем кристалле.
Влияние легирования на дислокационную структуру полупроводников.
Влияние дислокаций на физические свойства полупроводников.
Собственные точечные дефекты структуры
Методы исследования собственных точечных дефектов структуры
Косвенные методы.
Прямые методы.
Расчетные методы.
Особенности дефектообразования в кремнии и германии
Общие свойства дефектов.
Вакансии.
Междоузельные атомы.
Влияние легирующих примесей на дефектообразование.
Влияние условий выращивания на дефектообразование.
Особенности дефектообразования в полупроводниковых соединениях АIIIBV
Типы точечных дефектов.
Область гомогенности.
Влияние условий выращивания и термообработки на дефектообразование.
Особенности дефектообразования в легированных соединениях.
Некоторые кинетические особенности процессов взаимодействия с участием собственных точечных дефектов.
Другие полупроводниковые соединения
Соединения типа АIIBVI.
Соединения типа AIVBVI.
Микродефекты в монокристаллах полупроводников
Микродефекты в бездислокационных монокристаллах кремния.
Структурные превращения в кремнии при термообработке.
Геттерирование точечных дефектов.
Микродефекты в сильно легированных кристаллах полупроводниковых соединений.
Двойникование в полупроводниках (дополнение)
Библиографический список