Подготовлено к печати Антоновым П.И., Носовым Ю.Г., Спивак Л.Н.,
Пивиной М.Е.
Л.: ЛИЯФ, 1982. – 360 с.
Представлены доклады, в которых рассматриваются физические основы
процесса выращивания, физико-механические свойства и области
применения профилированных монокристаллов, поликристаллических
изделий и композиционных материалов, полученных способом
Степанова.
Татарченко B.А., Янцен С.В. Тенденции развития способа Степанова на основе анализа научно-технических публикаций.
Алишоев A.Л., Цивинский С.В., Затуловский Л.М., Кравецкий Д.Я. Определение геометрии смачиваемых расплавом формообразователей по заданным размерам выращиваемых кристаллов.
Цивинский C.В., Затуловский Л.М., Алишоев А.Л. Высота и условия существования различных типов столбов расплава при выращивании кристаллов из смачиваемых формирующих устройств.
Цивинский C.В. Релаксация внутренних напряжений и движений дислокаций при отжиге выращенных кристаллов.
Цивинский С.В., Затуловский Л.М., Кравецкий Д.Я. Связь между температурой расплава и скоростью стационарного роста при получении из полупрозрачных расплавов кристаллов способом Степанова.
Воронков B.В., Панков В.М. Устойчивость диаметра кристалла при выращивании методом Чохральского.
Тиман Б.Л., Колотий О.Д. Капиллярная устойчивость формы кристалла при вытягивании из расплава.
Васильев М.Г., Юферев В.С. Радиационное переохлаждение расплава и неустойчивость плоской границы раздела дела фаз в полупрозрачных кристаллах.
Васильев М.Г., Юферев В.С., Бахолдин С.И. Расчет формы фронта кристаллизации в тонкой ленте сапфира, вытягиваемой из расплава.
Колесникова Э.Н., Юферев В.С. Расчет пластических напряжений и деформаций в средней части монокристаллической ленты, вытягиваемой из расплава, в приближении идеальной пластичности.
Вандакуров И.Ю., Галактионов Е.В., Крымов В.М. Расчет термоупругих напряжений в монокристаллах германия прямоугольного сечения.
Бахолдин С.И., Галактионов Е.В., Засимчук И.К., Фомин А.В. Дислокационная структура и термоупругие напряжения в монокристаллах цинка.
Алимов О.М., Смирнов В.А., Старшинова И.В., Титюник Л.Н., Фрязинов И.В. Численный анализ тепловых условий выращивания монокристаллов по Чохральскому.
Могилевский Р.Н., Сергеенкова В.М. Измерение осевых и радиальных градиентов температуры в процессе выращивания монокристаллов методом бестигельной зонной плавки.
Большаков Ю.В., Костерев В.К., Юдина Н.В., Фомин Г.А. Возможность снижения термических напряжений в лентах, выращенных по методу Степанова.
Волков Л.И., Данковский Ю.В., Левинзон Д.И., Пеллер В.В., Сидоренко Н.В. Исследование электрофизических свойств монокристаллов германия, выращиваемых способом Степанова в групповом процессе.
Веселовская Н.В., Сидоренко Н.В., Левинзон Д.И. Исследование микродефектов в монокристаллах германия, выращенных различными способами.
Крымов В.М., Кузнецов С.П., Антонов П.И., Атрошенко Ю.К., Волкова Н.В. Выращивание цилиндрических монокристаллов германия для оптических целей.
Левинзон Д.И., Ровинский Р.Е., Рогалин В.Е., Рыкун Е.П., Ценина И.С., Шершель В.А. Поглощение ИК-излучения в германии.
В.В. Пеллер, М.А. Воробьев, Левинзон Д.И., Рыкун Е.П., Сидоренко Н.В. Примесная полосчатость в крупногабаритных профилированных монокристаллах германия.
Любалин М.Д., Левинзон Д.И., Рыкун Е.П., Сидоренко Н.В. Некоторые особенности формы и строения крупных кристаллов германия, полученных по способу Степанова.
Смирнов Ю.М., Шаморикова Е.Б. Дислокационная структура и оптические свойства монокристаллов германия, полученных профилированием.
Смирнов Ю.М. Сравнение способов выращивания монокристаллов германия больших размеров.
Меженный М.В., Шифрин С.С., Освенский В.Б., Беркова А.В., Брагинская A.Г., Колчина Г.П., Нашельский А.Я., Якобсон С.В. Критические напряжения и температурные диапазоны образования дислокаций в монокристаллах фосфида индия и антимонида галлия при выращивании из расплава.
Биберин B.И., Марков А.В., Освенский В.Б., Степанцова И.В., Шифрин C.С. Исследование условий формирования дислокационной структуры монокристаллов арсенида галлия большого диаметра.
Носов Ю.Г., Неронова Н.Г., Смирнов Б.В.Электрофизические свойства профилированных монокристаллов антимонида индия.
Береза В.П., Закс М.Б., Овчинникова Т.А., Скоков С.В., Турковский В.Ю. К вопросу влияния термоупругих напряжений на выращивание широких недеформированных лент кремния способом Степанова.
Макеев X.И., Машаев Т.А., Раскутина Л.И., Баташев В.И., Шашков Ю.М. Разработка устройства для вытягивания кремниевых лент в атмосфере влажного кислорода.
Макеев X.И., Воронов И.Н., Раскутина Л.М., В.И. Баташев, Шашков В.М. Выращивание кремниевых лент в атмосфере кислорода вытягиванием через фильеру вниз.
Дементьев Ю.С., Алешин А.А., Блецкан Н.И., Бузынин А.Н., Березенко Л.Е. Выращивание из расплава и текстура труб кремния.
Лейбович В.С., Макеев Х.И. Формообразование профильных кристаллов кремния при их выращивании в окислительной среде в направлении силы тяжести (ВОТ-методом).
Макеев X.И., Машаев Т.А., Гожавин В.И., Вайсберг В.А. Исследование процесса пластической деформации поликристаллических кремниевых профилей, полученных обратным способом Степанова.
Макеев X.И., Машаев Т.А., Гожавин В.И., Вайсберг В.А. Свойства поликристаллических кремниевых профилей, выращенных обратным способом Степанова.
Брантов С.К., Татарченко В.А., Уймина Л.И., Эпельбаум Б.М. Выращивание слоев кремния на электропроводящих подложках методом направленной кристаллизации расплава - перспективный путь снижения стоимости солнечных элементов.
Неймарк К.Н., Дудавский С.И., Трубицын Ю.В., Осовский М.И., Лев Л.Р. Опыт выращивания профилированных прутков кремния на установке «Кристалл 502» с использованием электромагнитного формообразователя.
Литвинов Л.А., Пищик В.В. Перспективы развития техники получения профилированного сапфира.
Куликов В.И., Рыбкин В.Н., Артемьева Э.А., Куликова Б.Н., Батищева И.И. Выращивание лент сапфира вдоль плоскости базиса по способу Степанова.
Березина И.Е., Затуловский Л.М., Кравеций Д.Я., Лингарт Ю.К., Тихонова Н.А. К расчету теплообмена в технологической зоне для выращивания монокристаллов методом Степанова.
Иванцов В.А. Влияние формы фронта кристаллизации на критическую скорость захвата инородных включений растущим монокристаллом.
Лингарт Ю.К. Влияние радиационного теплообмена на кристаллизацию лейкосапфира.
Бородин B.А., Сорокин Н.М., Стериополо Т.А., Татарченко В.А., Яловец Т.Н. Влияние конструкции формообразователя на характер распределения пузырей в профилированных кристаллах сапфира.
Бадячевский C. В., Аввакумова Л.А., Хазанов Э.Е. Графит в установках для получения профилированных кристаллов корунда.
Васильев М.Г., Папков В.С., Перов В.Ф., Юферев В.С. Зависимость формы границы раздела сапфировой ленты от условий роста.
Мусатов М.И., Петунина И.Н., Николаев И.Н. Создание различной формы фронта кристаллизации и некоторые особенности образования пузырей при выращивании кристаллов корунда методом Степанова.
Браиловский В.Б., Гайдуков Е.Н., Рыжков А.Е., Макарова Т.В., Степанцов Е.А., Сотников В.А. Предельные нагрузочные характеристики труб из бесцветного монокристаллического корунда, применяемых в качестве оболочек дуговых ламп накачки.
Браиловский В.Б., Шабуркина В.И., Рыжков А.Е., Левашев А.И., Макарова Т.В., Войтехова Е.А. К вопросу о взаимодействии молибденовых формообразователей с расплавом Al2O3 при изготовлении профильных изделий по способу Степанова.
Браиловский В.Б., Л.М. Затуловский, Рыжков А.Е., Левашев А.П., Кравецкий Д.Я., Макарова Т.В., Сотников В.А. Применение труб из бесцветного монокристаллического корунда для оболочек дуговых ламп накачки.
Белоусенко А.П., Затуловский Л.М., Кравецкий Д.Я., Костенко Н.С., Муравич Б.Л., Цивинский С.В., Лебедев В.М. Особенности получения и некоторые свойства профилированных кристаллов окиси скандия.
Могилевский Р.Н., Сергеенкова В.М., Листовничий В.Е. Модернизация установки «Донец-1» и выращивание на ней монокристаллов интерметаллидов.
Бузынин A.Н. Субсекториальные особенности строения кристаллов, вытягиваемых из расплава.
Есин B.О., Бродова И.Г., Панкин Г.Н. Двойники роста в алюминиевых сплавах.
Рогальский Г.И., Никаноров С.П., Пеллер В.В. Влияние условий роста на микроструктуру профилированной щелочно-галоидной композиции LiF-NaF.
Костыгов А.С., Корчунов Б.Н., Федоров В.Ю., Хохлов Г.Г. Определение теплоотдачи с поверхности изделия, получаемого непосредственно ив расплава по способу Степанова.
Костыгов А.С., Корчунов Б.Н., Федоров В.Ю., Хохлов Г.Г. Применение двухзонного принудительного охлаждения при получении способом Степанова труб из алюминиевых сплавов.
Корчунов Б.Н., Костыгов А.С., Федоров В.Ю., Хохлов Г.Г. Исследование возможности получения узких каналов в толстостенных трубах.
Пеллер В.В., Воробьев М.А., Хохлов Г.Г. Особенности кристаллизации металлической матрицы при получении способом Степанова армированных композиций.
Доброумов С.М., Пеллер В.В. Армирование эвтектической композиции Al-Al2Cu борными волокнами.
Горилецкий В.И., Немёнов В.А., Проценко В.Г., Радкевич А.В., Эйдельман Л.Г. Некоторые параметры неконсервативного процесса выращивания монокристалла с автоматическим управлением по сигналу датчика уровня расплава.
Воробьев М.А., Пеллер В.В. Влияние армирования в процессе кристаллизации из расплава на форму получаемых образцов и их структуру.
Хохлов Г.Г., Пеллер В.В., Некрасов А.А. Получение профилированных бороалюминиевых композиций.
Байрамов А.X., Пеллер В.В., Костыгов А.С., Корчунов Б.Н., Султанова С.А., Вяткин И.П., Тагиева С.М., Мамедова С.М. Исследование электрохимических свойств магниевых сплавов в образцах, полученных способом Степанова.
Рохлин Л.Л., Пеллер В.В., Вяткин И.П., Дренов Н.Н., Корчунов Б.Н., Никитина Н.И., Столбова А.Д. Профилированные изделия из магниевого сплава с повышенной демпфирующей способностью.
Калашников Е.В., Гурин В.Н., Корсукова М.М., Кицай А.А., Доброумов С.М., Пеллер В.В., Никаноров С.П. Исследование условий выращивания монокристаллов способом Степанова из растворов в расплаве.
Татарченко B.А., Янцен С.В. Тенденции развития способа Степанова на основе анализа научно-технических публикаций.
Алишоев A.Л., Цивинский С.В., Затуловский Л.М., Кравецкий Д.Я. Определение геометрии смачиваемых расплавом формообразователей по заданным размерам выращиваемых кристаллов.
Цивинский C.В., Затуловский Л.М., Алишоев А.Л. Высота и условия существования различных типов столбов расплава при выращивании кристаллов из смачиваемых формирующих устройств.
Цивинский C.В. Релаксация внутренних напряжений и движений дислокаций при отжиге выращенных кристаллов.
Цивинский С.В., Затуловский Л.М., Кравецкий Д.Я. Связь между температурой расплава и скоростью стационарного роста при получении из полупрозрачных расплавов кристаллов способом Степанова.
Воронков B.В., Панков В.М. Устойчивость диаметра кристалла при выращивании методом Чохральского.
Тиман Б.Л., Колотий О.Д. Капиллярная устойчивость формы кристалла при вытягивании из расплава.
Васильев М.Г., Юферев В.С. Радиационное переохлаждение расплава и неустойчивость плоской границы раздела дела фаз в полупрозрачных кристаллах.
Васильев М.Г., Юферев В.С., Бахолдин С.И. Расчет формы фронта кристаллизации в тонкой ленте сапфира, вытягиваемой из расплава.
Колесникова Э.Н., Юферев В.С. Расчет пластических напряжений и деформаций в средней части монокристаллической ленты, вытягиваемой из расплава, в приближении идеальной пластичности.
Вандакуров И.Ю., Галактионов Е.В., Крымов В.М. Расчет термоупругих напряжений в монокристаллах германия прямоугольного сечения.
Бахолдин С.И., Галактионов Е.В., Засимчук И.К., Фомин А.В. Дислокационная структура и термоупругие напряжения в монокристаллах цинка.
Алимов О.М., Смирнов В.А., Старшинова И.В., Титюник Л.Н., Фрязинов И.В. Численный анализ тепловых условий выращивания монокристаллов по Чохральскому.
Могилевский Р.Н., Сергеенкова В.М. Измерение осевых и радиальных градиентов температуры в процессе выращивания монокристаллов методом бестигельной зонной плавки.
Большаков Ю.В., Костерев В.К., Юдина Н.В., Фомин Г.А. Возможность снижения термических напряжений в лентах, выращенных по методу Степанова.
Волков Л.И., Данковский Ю.В., Левинзон Д.И., Пеллер В.В., Сидоренко Н.В. Исследование электрофизических свойств монокристаллов германия, выращиваемых способом Степанова в групповом процессе.
Веселовская Н.В., Сидоренко Н.В., Левинзон Д.И. Исследование микродефектов в монокристаллах германия, выращенных различными способами.
Крымов В.М., Кузнецов С.П., Антонов П.И., Атрошенко Ю.К., Волкова Н.В. Выращивание цилиндрических монокристаллов германия для оптических целей.
Левинзон Д.И., Ровинский Р.Е., Рогалин В.Е., Рыкун Е.П., Ценина И.С., Шершель В.А. Поглощение ИК-излучения в германии.
В.В. Пеллер, М.А. Воробьев, Левинзон Д.И., Рыкун Е.П., Сидоренко Н.В. Примесная полосчатость в крупногабаритных профилированных монокристаллах германия.
Любалин М.Д., Левинзон Д.И., Рыкун Е.П., Сидоренко Н.В. Некоторые особенности формы и строения крупных кристаллов германия, полученных по способу Степанова.
Смирнов Ю.М., Шаморикова Е.Б. Дислокационная структура и оптические свойства монокристаллов германия, полученных профилированием.
Смирнов Ю.М. Сравнение способов выращивания монокристаллов германия больших размеров.
Меженный М.В., Шифрин С.С., Освенский В.Б., Беркова А.В., Брагинская A.Г., Колчина Г.П., Нашельский А.Я., Якобсон С.В. Критические напряжения и температурные диапазоны образования дислокаций в монокристаллах фосфида индия и антимонида галлия при выращивании из расплава.
Биберин B.И., Марков А.В., Освенский В.Б., Степанцова И.В., Шифрин C.С. Исследование условий формирования дислокационной структуры монокристаллов арсенида галлия большого диаметра.
Носов Ю.Г., Неронова Н.Г., Смирнов Б.В.Электрофизические свойства профилированных монокристаллов антимонида индия.
Береза В.П., Закс М.Б., Овчинникова Т.А., Скоков С.В., Турковский В.Ю. К вопросу влияния термоупругих напряжений на выращивание широких недеформированных лент кремния способом Степанова.
Макеев X.И., Машаев Т.А., Раскутина Л.И., Баташев В.И., Шашков Ю.М. Разработка устройства для вытягивания кремниевых лент в атмосфере влажного кислорода.
Макеев X.И., Воронов И.Н., Раскутина Л.М., В.И. Баташев, Шашков В.М. Выращивание кремниевых лент в атмосфере кислорода вытягиванием через фильеру вниз.
Дементьев Ю.С., Алешин А.А., Блецкан Н.И., Бузынин А.Н., Березенко Л.Е. Выращивание из расплава и текстура труб кремния.
Лейбович В.С., Макеев Х.И. Формообразование профильных кристаллов кремния при их выращивании в окислительной среде в направлении силы тяжести (ВОТ-методом).
Макеев X.И., Машаев Т.А., Гожавин В.И., Вайсберг В.А. Исследование процесса пластической деформации поликристаллических кремниевых профилей, полученных обратным способом Степанова.
Макеев X.И., Машаев Т.А., Гожавин В.И., Вайсберг В.А. Свойства поликристаллических кремниевых профилей, выращенных обратным способом Степанова.
Брантов С.К., Татарченко В.А., Уймина Л.И., Эпельбаум Б.М. Выращивание слоев кремния на электропроводящих подложках методом направленной кристаллизации расплава - перспективный путь снижения стоимости солнечных элементов.
Неймарк К.Н., Дудавский С.И., Трубицын Ю.В., Осовский М.И., Лев Л.Р. Опыт выращивания профилированных прутков кремния на установке «Кристалл 502» с использованием электромагнитного формообразователя.
Литвинов Л.А., Пищик В.В. Перспективы развития техники получения профилированного сапфира.
Куликов В.И., Рыбкин В.Н., Артемьева Э.А., Куликова Б.Н., Батищева И.И. Выращивание лент сапфира вдоль плоскости базиса по способу Степанова.
Березина И.Е., Затуловский Л.М., Кравеций Д.Я., Лингарт Ю.К., Тихонова Н.А. К расчету теплообмена в технологической зоне для выращивания монокристаллов методом Степанова.
Иванцов В.А. Влияние формы фронта кристаллизации на критическую скорость захвата инородных включений растущим монокристаллом.
Лингарт Ю.К. Влияние радиационного теплообмена на кристаллизацию лейкосапфира.
Бородин B.А., Сорокин Н.М., Стериополо Т.А., Татарченко В.А., Яловец Т.Н. Влияние конструкции формообразователя на характер распределения пузырей в профилированных кристаллах сапфира.
Бадячевский C. В., Аввакумова Л.А., Хазанов Э.Е. Графит в установках для получения профилированных кристаллов корунда.
Васильев М.Г., Папков В.С., Перов В.Ф., Юферев В.С. Зависимость формы границы раздела сапфировой ленты от условий роста.
Мусатов М.И., Петунина И.Н., Николаев И.Н. Создание различной формы фронта кристаллизации и некоторые особенности образования пузырей при выращивании кристаллов корунда методом Степанова.
Браиловский В.Б., Гайдуков Е.Н., Рыжков А.Е., Макарова Т.В., Степанцов Е.А., Сотников В.А. Предельные нагрузочные характеристики труб из бесцветного монокристаллического корунда, применяемых в качестве оболочек дуговых ламп накачки.
Браиловский В.Б., Шабуркина В.И., Рыжков А.Е., Левашев А.И., Макарова Т.В., Войтехова Е.А. К вопросу о взаимодействии молибденовых формообразователей с расплавом Al2O3 при изготовлении профильных изделий по способу Степанова.
Браиловский В.Б., Л.М. Затуловский, Рыжков А.Е., Левашев А.П., Кравецкий Д.Я., Макарова Т.В., Сотников В.А. Применение труб из бесцветного монокристаллического корунда для оболочек дуговых ламп накачки.
Белоусенко А.П., Затуловский Л.М., Кравецкий Д.Я., Костенко Н.С., Муравич Б.Л., Цивинский С.В., Лебедев В.М. Особенности получения и некоторые свойства профилированных кристаллов окиси скандия.
Могилевский Р.Н., Сергеенкова В.М., Листовничий В.Е. Модернизация установки «Донец-1» и выращивание на ней монокристаллов интерметаллидов.
Бузынин A.Н. Субсекториальные особенности строения кристаллов, вытягиваемых из расплава.
Есин B.О., Бродова И.Г., Панкин Г.Н. Двойники роста в алюминиевых сплавах.
Рогальский Г.И., Никаноров С.П., Пеллер В.В. Влияние условий роста на микроструктуру профилированной щелочно-галоидной композиции LiF-NaF.
Костыгов А.С., Корчунов Б.Н., Федоров В.Ю., Хохлов Г.Г. Определение теплоотдачи с поверхности изделия, получаемого непосредственно ив расплава по способу Степанова.
Костыгов А.С., Корчунов Б.Н., Федоров В.Ю., Хохлов Г.Г. Применение двухзонного принудительного охлаждения при получении способом Степанова труб из алюминиевых сплавов.
Корчунов Б.Н., Костыгов А.С., Федоров В.Ю., Хохлов Г.Г. Исследование возможности получения узких каналов в толстостенных трубах.
Пеллер В.В., Воробьев М.А., Хохлов Г.Г. Особенности кристаллизации металлической матрицы при получении способом Степанова армированных композиций.
Доброумов С.М., Пеллер В.В. Армирование эвтектической композиции Al-Al2Cu борными волокнами.
Горилецкий В.И., Немёнов В.А., Проценко В.Г., Радкевич А.В., Эйдельман Л.Г. Некоторые параметры неконсервативного процесса выращивания монокристалла с автоматическим управлением по сигналу датчика уровня расплава.
Воробьев М.А., Пеллер В.В. Влияние армирования в процессе кристаллизации из расплава на форму получаемых образцов и их структуру.
Хохлов Г.Г., Пеллер В.В., Некрасов А.А. Получение профилированных бороалюминиевых композиций.
Байрамов А.X., Пеллер В.В., Костыгов А.С., Корчунов Б.Н., Султанова С.А., Вяткин И.П., Тагиева С.М., Мамедова С.М. Исследование электрохимических свойств магниевых сплавов в образцах, полученных способом Степанова.
Рохлин Л.Л., Пеллер В.В., Вяткин И.П., Дренов Н.Н., Корчунов Б.Н., Никитина Н.И., Столбова А.Д. Профилированные изделия из магниевого сплава с повышенной демпфирующей способностью.
Калашников Е.В., Гурин В.Н., Корсукова М.М., Кицай А.А., Доброумов С.М., Пеллер В.В., Никаноров С.П. Исследование условий выращивания монокристаллов способом Степанова из растворов в расплаве.