Статья опубликована в журнале Физика плазмы, 2010, Т.36, №11,
С.997-1012.
Целью работы являлось исследование распределения тока и динамики токонесущей плазменной оболочки в разряде на установке плазменный фокус ПФ-
3. Для измерений параметров оболочки использовались абсолютно калиброванные магнитные зонды, установленные в различных положениях относительно оси установки и поверхности анода. Исследована динамика токовой оболочки в разрядах в аргоне и неоне, определена толщина скин-слоя на различных стадиях разряда. Один из зондов вводился на расстояние 2 см от оси установки, что позволило также определить эффективность транспортировки тока в область формирования пинча. Получены режимы, в которых динамика тока, регистрируемого магнитными зондами на различных радиусах от оси, хорошо соответствует динамике полного разрядного тока вплоть до момента особенности. В то же время показана возможность формирования замкнутых токовых контуров в результате развития шунтирующих пробоев. Такое шунтирование разрядного тока остаточной плазмой непосредственно связано с эффективностью «сгребания» рабочего газа токовой оболочкой при ее движении от изолятора к оси установки.
Целью работы являлось исследование распределения тока и динамики токонесущей плазменной оболочки в разряде на установке плазменный фокус ПФ-
3. Для измерений параметров оболочки использовались абсолютно калиброванные магнитные зонды, установленные в различных положениях относительно оси установки и поверхности анода. Исследована динамика токовой оболочки в разрядах в аргоне и неоне, определена толщина скин-слоя на различных стадиях разряда. Один из зондов вводился на расстояние 2 см от оси установки, что позволило также определить эффективность транспортировки тока в область формирования пинча. Получены режимы, в которых динамика тока, регистрируемого магнитными зондами на различных радиусах от оси, хорошо соответствует динамике полного разрядного тока вплоть до момента особенности. В то же время показана возможность формирования замкнутых токовых контуров в результате развития шунтирующих пробоев. Такое шунтирование разрядного тока остаточной плазмой непосредственно связано с эффективностью «сгребания» рабочего газа токовой оболочкой при ее движении от изолятора к оси установки.