Известия АН СССР. Неорганические материалы. Ежемесячный журнал.
Основан в 1965 году. — М.: Наука, 1977. Т. 13. № 5.
СОДЕРЖАНИЕ
Семенова О. И., Репинский С. М., Запорожец Л. М. Взаимодействие монокристаллического Ge с парами серы
Бацелев С. П., Марончук И. Е., Марончук Ю. Е., Масенко Б. П. Кристаллизация эпитаксиальных. слоев AlxGa1-xAs из ограниченного объема раствора-расплава
Фролов И. А., Болдыревский П. Б., Друзь Б. Л., Соколов Е. Б. Механизм эпи-
таксиального роста GaAs в системе Ga(СН3)3—AsH3-H2
Савельев В. А., Карамов А. Г., Картушина А. А., Соколов Е. Б., Гладской В. М Распределение легирующих компонентов окиси хрома в высокоомных монокристаллах GaP
Кузнецов В. В., Сорокин В. С. Растворимость GaP в расплавах сурьмы и висмута
Хухрянский Ю. П., Пантелеев В. И. Давление паровой фазы над растворами InP и InAs в олове
Иванов Л. С., Мороховец М. А., Нечаев В. В. Исследование процесса осаждения твердых растворов InxGa1-xP из газовой фазы в системе Ga—In—HC1—РН3—Н2
Раренко И. М., Семизоров А. Ф., Слынько Е. И., Слынько В. В., Товстюк К. Д. Анизотропия кинетических и магнитных свойств CdSb, легированного Ge
Эль Мосли М. К., Омар О. А. Исследование кристаллизации аморфного сплаваSSe40 методом измерения электропроводности
Эль Мосли М. К. Кристаллизация аморфных сплавов селена с серой
Суворова Л. Н., Байдаков Л. А. Магнитная восприимчивость халькогенов и стекол на их основе
Мержанов А. Г., Боровинская И. П., Ратников В. И., Прокудина В. К. Мемелов В. Л., Глускин Я. А. Свойства WSe2, полученного самораспространяющимся высокотемпературным синтезом
Ванюков А. В,, Кротов И. И., Ермаков А. И. Изучение растворимости CdTe и твердых растворов Cd1-xHgxTe в Hg
Бурлаку Г. Г., Маркус М. М., Тырзиу В. Г. Диаграмма состояния разреза ZnTe—Ga2Te3
Латыпов З. М., Файзуллина Н. Р., Давлетшин Р. Ю., Музурова Л. И. Исследование разреза In2Те3—РbТе тройной системы In—Pb—Te
Абрикосов Н. X., Банкина В. Ф., Коломоец Л. А., Джалиашвили Н. В. Отклонение твердого раствора от стехиометрического разреза Вi2Те3—Sb2Те3 в области состава Bi0,5Sb0,5Te
Михайлов Ю. И., Галицын Ю. Г., Болдырев В. В. Фотопроводимость и тип носителей фототока в AlH3
Шушлебина Н. JI., Шашков Н. М., Богоносова Э. К., Голобокина Е. Е. Рост монокристаллов SiC на затравках
Кальнин А. А., Смирнова Н. А., Таиров Ю. М., Хаккер Э. Выращивание кристаллов SiC из раствора в расплаве кремния методом температурного градиента в парах редкоземельного металла
Лесная М. И., Немченко В. Ф., Виницкий И. М., Науменко В. Я. Температурная зависимость магнитной восприимчивости монокарбида титана в области гомогенности
Орданьян С. С., Нестерова Н. В., Августиник А. И. Фазовые равновесия в системе Ti—В—Мо при 1400° С
Ткаченко Н. Л., Швантнер М., Солобев Б. П. Диаграмма состояния системы BaF2—YF3
Покровский Д. Д., Самолюк Н. П., Грибков В. Н., Боровинский Л. А., Уманцев Э. Л., Осипов В. П. Причины различия морфологии конденсатов ZnO, MgO и АlN, получаемых из парообразных элементов
Верба Л. И., Дегтярева Э. В., Гулько Н. В., Каменецкий Ю. Л., Гладкая Н. В. Свойства спеченной керамики из ТiO2
Микиртичева Г. А., Григорьева Л. Ф. Изучение процесса образования волокнистого фторамфибола из газовой фазы
Устьянцев В. М., Третникова М. Г. Диаграмма состояния частной системы NaCaPO4—Ca2SiO4
Устьянцев В. М., Третникова М. Г. Диаграмма состояния частной системы NaCaPO4—Ca3SiO5
Алиханов Р. А., Бегоулев В. Б., Бенделиани Н. А. Антиферромагнетизм e-FeOOH
Можаев А. П., Олейников Н. Н., Шумилкин Н. С., Фадеева В. И. Исследование взаимодействия феррита лития с легкоплавкими добавками в области их малых концентрации
Добровинский Р. Ю., Варшавский М. Т., Бич В. М., Мень А. Н. Интерпретация области гомогенности железомарганцевых ферритов в модели кластерных омпонентов
Сапожникова Э. Я., Кригер Э. М., Маслова В. М., Марковский Е. В., Ройзенблат Е. М. Электрохимическое исследование ферритов, синтезированных некерамическим методом
Дидковская О. С., Селикова Н. И., Шапоренко С. Э., Воробьева А. М., Кривобок В. И. Исследование сегнетокерамики из феррониобата свинца с добавками La2O3 и СеO2
Токмянина Т. В., Разумовская О. Н., Беляев И. Н. Термогравиметрическое исследование реакций образования Pb2NbFeO6, Pb2TaFeO6 и Pb3WFe2O9
Багров Г. Н., Лаврухин П. Ф., Лопатто Ю. С. Формирование структуры коксопековых композиций на стадии обжига
КРАТКИЕ СООБЩЕНИЯ
Иевлев В. М., Ткачева Р. И., Мещеряков В. М. Закономерности формирования и структура химически осажденных пленок Аu на кремнии
Астахов В. П., Конющенко Л. Я. Кристаллизация окисных слоев, созданных на Si внедрением ионов кислорода
Литвин А. А., Марончук И. Е., Марончук Ю. Е. Анизотропия скорости роста эпитаксиальных слоев GaP из раствора-расплава
Фролов И. А., Друзь Б. Л., Болдыревский П. Б., Соколов Е. Б. Стимулирование процессов газофазного наращивания эпитаксиальных слоев GaAs
Борисова Л. А., Аккерман 3. Л., Дорохов А. Н. Растворимость кислорода в GaAs
Латыпов З. М., Савельев В. П., Аверьянов И. С., Файзуллина Н. Р., Приходцев М. Н. Изучение области твердых растворов на основе InSb в системе In—Sb—Bi
Гасинец С. М., Шпырко Г. Н., Головей М. И., Мельниченко Т. Н. Энтальпии плавления AsI3, SbI3, BiI3
Байдаков Л. А., Фунтиков В. А. Температурное изменение диамагнетизма и тепловое расширение кристаллических соединений TlAsSe2, Tl2Se и Te2Se3
Глазов В. М., Бурханов А. С., Салеева И. М. К методике получения однофазных халькогенидов меди и серебра
Бурылев Б. П. Определение стандартной энтальпии образования Ga2Se3
Бондарь И. В., Ворошилов Ю. В., Лукомский А. И. Получение и ширина запрещенной зоны твердых растворов системы CuGaS2 —CuCaSe2
Чабан Н. Ф., Кузьма Ю. Б. Система Cd—Co—B
Марко М. А., Кузьма Ю. Б. Фазовые равновесия в системах Zr—Ge—В и
Hf—Ge—B
Кузьма Ю. Б., Милян В. В. Новые соединения со структурой типа MoSi2
Касимов Г. Г., Еловских Е. М., Теплов В. Г. Окислительно-восстановительные процессы в ниобатах церия
Устьянцев В. М., Третникова М. Г. Диаграммы состояния частных систем NaCaPO4—Ca3MgSi2O3 и NaCaP04—CaO
Устьянцев В. М., Третникова М. Г. Диаграмма состояния частной системы NaCaPO4—CaMgSiO4
ХРОНИКА
Лужная Н. П. Всесоюзная конференция «Тройные полупроводники и их применение»
Семенова О. И., Репинский С. М., Запорожец Л. М. Взаимодействие монокристаллического Ge с парами серы
Бацелев С. П., Марончук И. Е., Марончук Ю. Е., Масенко Б. П. Кристаллизация эпитаксиальных. слоев AlxGa1-xAs из ограниченного объема раствора-расплава
Фролов И. А., Болдыревский П. Б., Друзь Б. Л., Соколов Е. Б. Механизм эпи-
таксиального роста GaAs в системе Ga(СН3)3—AsH3-H2
Савельев В. А., Карамов А. Г., Картушина А. А., Соколов Е. Б., Гладской В. М Распределение легирующих компонентов окиси хрома в высокоомных монокристаллах GaP
Кузнецов В. В., Сорокин В. С. Растворимость GaP в расплавах сурьмы и висмута
Хухрянский Ю. П., Пантелеев В. И. Давление паровой фазы над растворами InP и InAs в олове
Иванов Л. С., Мороховец М. А., Нечаев В. В. Исследование процесса осаждения твердых растворов InxGa1-xP из газовой фазы в системе Ga—In—HC1—РН3—Н2
Раренко И. М., Семизоров А. Ф., Слынько Е. И., Слынько В. В., Товстюк К. Д. Анизотропия кинетических и магнитных свойств CdSb, легированного Ge
Эль Мосли М. К., Омар О. А. Исследование кристаллизации аморфного сплаваSSe40 методом измерения электропроводности
Эль Мосли М. К. Кристаллизация аморфных сплавов селена с серой
Суворова Л. Н., Байдаков Л. А. Магнитная восприимчивость халькогенов и стекол на их основе
Мержанов А. Г., Боровинская И. П., Ратников В. И., Прокудина В. К. Мемелов В. Л., Глускин Я. А. Свойства WSe2, полученного самораспространяющимся высокотемпературным синтезом
Ванюков А. В,, Кротов И. И., Ермаков А. И. Изучение растворимости CdTe и твердых растворов Cd1-xHgxTe в Hg
Бурлаку Г. Г., Маркус М. М., Тырзиу В. Г. Диаграмма состояния разреза ZnTe—Ga2Te3
Латыпов З. М., Файзуллина Н. Р., Давлетшин Р. Ю., Музурова Л. И. Исследование разреза In2Те3—РbТе тройной системы In—Pb—Te
Абрикосов Н. X., Банкина В. Ф., Коломоец Л. А., Джалиашвили Н. В. Отклонение твердого раствора от стехиометрического разреза Вi2Те3—Sb2Те3 в области состава Bi0,5Sb0,5Te
Михайлов Ю. И., Галицын Ю. Г., Болдырев В. В. Фотопроводимость и тип носителей фототока в AlH3
Шушлебина Н. JI., Шашков Н. М., Богоносова Э. К., Голобокина Е. Е. Рост монокристаллов SiC на затравках
Кальнин А. А., Смирнова Н. А., Таиров Ю. М., Хаккер Э. Выращивание кристаллов SiC из раствора в расплаве кремния методом температурного градиента в парах редкоземельного металла
Лесная М. И., Немченко В. Ф., Виницкий И. М., Науменко В. Я. Температурная зависимость магнитной восприимчивости монокарбида титана в области гомогенности
Орданьян С. С., Нестерова Н. В., Августиник А. И. Фазовые равновесия в системе Ti—В—Мо при 1400° С
Ткаченко Н. Л., Швантнер М., Солобев Б. П. Диаграмма состояния системы BaF2—YF3
Покровский Д. Д., Самолюк Н. П., Грибков В. Н., Боровинский Л. А., Уманцев Э. Л., Осипов В. П. Причины различия морфологии конденсатов ZnO, MgO и АlN, получаемых из парообразных элементов
Верба Л. И., Дегтярева Э. В., Гулько Н. В., Каменецкий Ю. Л., Гладкая Н. В. Свойства спеченной керамики из ТiO2
Микиртичева Г. А., Григорьева Л. Ф. Изучение процесса образования волокнистого фторамфибола из газовой фазы
Устьянцев В. М., Третникова М. Г. Диаграмма состояния частной системы NaCaPO4—Ca2SiO4
Устьянцев В. М., Третникова М. Г. Диаграмма состояния частной системы NaCaPO4—Ca3SiO5
Алиханов Р. А., Бегоулев В. Б., Бенделиани Н. А. Антиферромагнетизм e-FeOOH
Можаев А. П., Олейников Н. Н., Шумилкин Н. С., Фадеева В. И. Исследование взаимодействия феррита лития с легкоплавкими добавками в области их малых концентрации
Добровинский Р. Ю., Варшавский М. Т., Бич В. М., Мень А. Н. Интерпретация области гомогенности железомарганцевых ферритов в модели кластерных омпонентов
Сапожникова Э. Я., Кригер Э. М., Маслова В. М., Марковский Е. В., Ройзенблат Е. М. Электрохимическое исследование ферритов, синтезированных некерамическим методом
Дидковская О. С., Селикова Н. И., Шапоренко С. Э., Воробьева А. М., Кривобок В. И. Исследование сегнетокерамики из феррониобата свинца с добавками La2O3 и СеO2
Токмянина Т. В., Разумовская О. Н., Беляев И. Н. Термогравиметрическое исследование реакций образования Pb2NbFeO6, Pb2TaFeO6 и Pb3WFe2O9
Багров Г. Н., Лаврухин П. Ф., Лопатто Ю. С. Формирование структуры коксопековых композиций на стадии обжига
КРАТКИЕ СООБЩЕНИЯ
Иевлев В. М., Ткачева Р. И., Мещеряков В. М. Закономерности формирования и структура химически осажденных пленок Аu на кремнии
Астахов В. П., Конющенко Л. Я. Кристаллизация окисных слоев, созданных на Si внедрением ионов кислорода
Литвин А. А., Марончук И. Е., Марончук Ю. Е. Анизотропия скорости роста эпитаксиальных слоев GaP из раствора-расплава
Фролов И. А., Друзь Б. Л., Болдыревский П. Б., Соколов Е. Б. Стимулирование процессов газофазного наращивания эпитаксиальных слоев GaAs
Борисова Л. А., Аккерман 3. Л., Дорохов А. Н. Растворимость кислорода в GaAs
Латыпов З. М., Савельев В. П., Аверьянов И. С., Файзуллина Н. Р., Приходцев М. Н. Изучение области твердых растворов на основе InSb в системе In—Sb—Bi
Гасинец С. М., Шпырко Г. Н., Головей М. И., Мельниченко Т. Н. Энтальпии плавления AsI3, SbI3, BiI3
Байдаков Л. А., Фунтиков В. А. Температурное изменение диамагнетизма и тепловое расширение кристаллических соединений TlAsSe2, Tl2Se и Te2Se3
Глазов В. М., Бурханов А. С., Салеева И. М. К методике получения однофазных халькогенидов меди и серебра
Бурылев Б. П. Определение стандартной энтальпии образования Ga2Se3
Бондарь И. В., Ворошилов Ю. В., Лукомский А. И. Получение и ширина запрещенной зоны твердых растворов системы CuGaS2 —CuCaSe2
Чабан Н. Ф., Кузьма Ю. Б. Система Cd—Co—B
Марко М. А., Кузьма Ю. Б. Фазовые равновесия в системах Zr—Ge—В и
Hf—Ge—B
Кузьма Ю. Б., Милян В. В. Новые соединения со структурой типа MoSi2
Касимов Г. Г., Еловских Е. М., Теплов В. Г. Окислительно-восстановительные процессы в ниобатах церия
Устьянцев В. М., Третникова М. Г. Диаграммы состояния частных систем NaCaPO4—Ca3MgSi2O3 и NaCaP04—CaO
Устьянцев В. М., Третникова М. Г. Диаграмма состояния частной системы NaCaPO4—CaMgSiO4
ХРОНИКА
Лужная Н. П. Всесоюзная конференция «Тройные полупроводники и их применение»