Кунашик Е. С. ВКР магистра. По направлению 11.04.04 – Электроника и
наноэлектроника, Профиль – Микро- и наноэлектронные системы.
— СПб, СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2017. — 96 с.
Объектом исследования являются секториальные пластины полупроводникового алмаза, легированные бором, выращенные методом температурного градиента при высоком давлении (HPHT).
Цель работы – исследование морфологии и электрофизических свойств полупроводниковых структур на основе алмаза, а также анализ секториальности выращиваемых алмазов.
Метод исследований– спектроскопия адмиттанса: вольт-фарадное профилирование применялось для определения концентрации основных носителей заряда в полупроводниковом алмазе, а также для получения ВАХ на разных секторах алмаза. Сканирующая зондовая микроскопия: с помощью атомно-силовой микроскопии была исследована морфология алмазных структур, определены степени чистоты поверхности, описаны структурные особенности каждого образца.
В результате исследования были получены концентрационные профили основных носителей заряда в образцах HPHT алмаза, проанализированы их морфологические особенности, произведена оценка коэффициентов захвата примесей по разным кристаллографическим направлениям.
— СПб, СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2017. — 96 с.
Объектом исследования являются секториальные пластины полупроводникового алмаза, легированные бором, выращенные методом температурного градиента при высоком давлении (HPHT).
Цель работы – исследование морфологии и электрофизических свойств полупроводниковых структур на основе алмаза, а также анализ секториальности выращиваемых алмазов.
Метод исследований– спектроскопия адмиттанса: вольт-фарадное профилирование применялось для определения концентрации основных носителей заряда в полупроводниковом алмазе, а также для получения ВАХ на разных секторах алмаза. Сканирующая зондовая микроскопия: с помощью атомно-силовой микроскопии была исследована морфология алмазных структур, определены степени чистоты поверхности, описаны структурные особенности каждого образца.
В результате исследования были получены концентрационные профили основных носителей заряда в образцах HPHT алмаза, проанализированы их морфологические особенности, произведена оценка коэффициентов захвата примесей по разным кристаллографическим направлениям.