Автореферат диссертации канд. техн. наук (05.13.05 - элементы и
устройства ВТ и систем управления; 05.27.01 - твердотельная
электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника,
приборы на квантовых эффектах); рук. работы: Г. И. Зебрев, П. Н.
Осипенко. - Москва : НИЯУ МИФИ, 2010 . 25 с. Библ. – 21 . Илл. – 6,
табл. - 1 . Не распознано. В работе 4 главы.
Сама диссертация состоит из Введения, четырех глав, Заключения, библиографического списка. Основная часть диссертации содержит 151 страницу машинописного текста, включая 110 рисунок. Библиография – 85 наименований.
Основной материал диссертации посвящен разработке и развитию методов схемотехнического моделирования и экспериментального исследования дозовых эффектов в транзисторах КНИ КМОП технологии различной топологической реализации.
Цель диссертации - развитие методов и создание средств физического и схемотехнического моделирования работы КНИ КМОП ИМС в условиях воздействия ионизирующего излучения в различных режимах.
Сокращения: КНИ - кремний на изоляторе, КМОП – комплементарные металл-окисел-полупроводник, ИМС – интегральные микросхемы.
Сама диссертация состоит из Введения, четырех глав, Заключения, библиографического списка. Основная часть диссертации содержит 151 страницу машинописного текста, включая 110 рисунок. Библиография – 85 наименований.
Основной материал диссертации посвящен разработке и развитию методов схемотехнического моделирования и экспериментального исследования дозовых эффектов в транзисторах КНИ КМОП технологии различной топологической реализации.
Цель диссертации - развитие методов и создание средств физического и схемотехнического моделирования работы КНИ КМОП ИМС в условиях воздействия ионизирующего излучения в различных режимах.
Сокращения: КНИ - кремний на изоляторе, КМОП – комплементарные металл-окисел-полупроводник, ИМС – интегральные микросхемы.