Цедрик М.С. Физические свойства кристаллов семейства триглицинсульфата (в зависимости от условий выращивания)

Мн.: Наука и техника, 1986.— 216 с. скан 400dpi
Книга посвящена описанию реальной структуры и свойств сегнетоэлектрических кристаллов группы триглицинсульфата, процесса их роста в зависимости от температуры выращивания, пересыщения, рН раствора, примесей и гидродинамических условий. В ней показывается связь между физическими свойствами кристаллов и параметрами процесса их роста. Рассматривается влияние условий роста на реальную структуру и реальной структуры на сегнетоэлектрические свойства кристаллов. Описываются механизмы роста и изменения диэлектрических, упругих и пьезоэлектрических свойств, электропроводности и внутреннего трения.
Рассчитана на инженеров, научных сотрудников и студентов старших курсов, занимающихся вопросами физики твердого тела, радиоэлектроники, электроакустики; ее можно использовать как справочное пособие по важнейшим характеристикам кристаллов семейства триглицинсульфата.
Табл 24, Ил 88, Библиогр.— 678 назв.
Оглавление
Выращивание кристаллов семейства ТГС из водных растворов при оптимальных параметрах процесса
МЕТОДЫ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИЗ ВОДНЫХ РАСТВОРОВ ПРИ ЗАДАННЫХ УСЛОВИЯХ
Методы выращивания монокристаллов из водных растворов
Особенности выращивания кристаллов при заданных условиях
Критериальный анализ работы кристаллизационных установок
МЕХАНИЗМ И КИНЕТИКА ОБРАЗОВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСТВОРОВ ПРИ ПОСТОЯННЫХ ТЕМПЕРАТУРЕ, ПЕРЕСЫЩЕНИИ, pH И ЗАДАННЫХ ГИДРОДИНАМИЧЕСКИХ УСЛОВИЯХ
Особенности рефрактометрического метода изучения процессов кристаллизации
Диаграммы растворимости
Образование кристаллов в пересыщенных растворах
РОСТ РЕАЛЬНЫХ КРИСТАЛЛОВ ПРИ ЗАДАННЫХ УСЛОВИЯХ
Скорость роста кристаллов в зависимости от условий их выращивания
Морфология кристаллов в зависимости от условий их выращивания
Влияние примесей на рост кристаллов
Влияние условий выращивания на структуру кристаллов семейства ТГС
РЕАЛЬНАЯ СТРУКТУРА КРИСТАЛЛОВ СЕМЕЙСТВА ТГС
Структура молекулы глицина
Ориентация структуры и кристаллов G3H2XY4
Структура реальных кристаллов
Исследования методом ЭПР спектроскопии
ВЛИЯНИЕ УСЛОВИЙ ВЫРАЩИВАНИЯ ПРИ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ НА ДОМЕННУЮ СТРУКТУРУ И ДЕФЕКТНОСТЬ КРИСТАЛЛОВ
Дефектность реальных кристаллов
Доменная структура реальных кристаллов
Влияние реальной структуры на сегнетоэлектрические свойства кристаллов семейства ТГС
СПОНТАННАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ И ПРОЦЕССЫ ПЕРЕПОЛЯРИЗАЦИИ КРИСТАЛЛОВ СЕМЕЙСТВА ТГС
Спонтанная поляризация и коэрцитивное поле
Элементарные процессы переполяризации
Эффект Баркгаузена в сегнетоэлектриках
ДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ПРОНИЦАЕМОСТЬ В ЗАВИСИМОСТИ ОТ УСЛОВИЙ ВЫРАЩИВАНИЯВлияние поверхностного слоя на е
Влияние температуры роста и пересыщения раствора на ? кристаллов семейства ТГС
Механизм изменения е в зависимости от условий выращивания
Влияние внутренних полей смещения на температуру емакс
Влияние рН раствора на диэлектрическую проницаемость
Влияние примесей на диэлектрическую проницаемость
Зависимость е от амплитуды слабого переменного поля
Диэлектрическая проницаемость в сильных электрических полях
Влияние рН раствора на е в сильных электрических полях
Механизмы нелинейности е
Дисперсия диэлектрической проницаемости
ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПОТЕРИ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ КРИСТАЛЛОВ СЕМЕЙСТВА ТГС
Электропроводность кристаллов семейства ТГС
Диэлектрические потери кристаллов семейства ТГС
УПРУГИЕ, ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА И ВНУТРЕННЕЕ ТРЕНИЕ КРИСТАЛЛОВ СЕМЕЙСТВА ТГС
Влияние условий выращивания на упругие свойства изучаемых кристаллов
Влияние условий выращивания на пьезоэлектрические свойства кристаллов
Влияние условий выращивания на внутреннее трение изучаемых кристаллов
Влияние условий выращивания на механизмы изменения электромеханических свойств кристаллов семейства ТГС