Л.: Машиностроение. Ленинградское отд-ние, 1980. — 64 с. —
(Библиотечка высокочастотника-термиста).
Описаны методы получения особо чистых материалов с применением
индукционного нагрева, большое место уделено методам выращивания
полупроводниковых монокристаллов и пленок, приведены упрощенные
расчеты применяемых индукционных систем, определены требования,
предъявляемые к источникам питания и системам автоматического
регулирования, дано описание разработанного и внедренного на
предприятиях оборудования для производства особо чистых материалов.
Для инженеров, технологов, конструкторов и студентов.
Предисловие.
Получение монокристаллов кремния методом бестигельной зонной плавки
Процесс бестигельной зонной плавки.
Тепловые условия.
Выбор частоты, индукционные системы.
Особенности источников питания.
Системы регулирования.
Установки для бестигельной зонной плавки.
Выращивание кристаллов кремния с пьедестала
Выращивание монокристаллов кремния с пьедестала.
Выращивание прутков-подложек.
Получение профильных монокристаллов.
Групповое выращивание тонких прутков.
Эпитаксиальное наращивание монокристаллических кремниевых слоев
Процесс эпитаксиального наращивания.
Основные параметры процесса осаждения и их влияние на рост и совершенство структуры эпитаксиальных слоев.
Установки типа «Слой» для эпитаксиального наращивания слоев.
Получение монокристаллов окисных материалов методом вытягивания из расплава в тигле
Технологические особенности процесса.
Выбор источника питания.
Средства контроля и автоматизации.
Промышленные установки для получения монокристаллов высокотемпературных окислов.
Получение плавленых окисных материалов с использованием индукционной плавки в холодном тигле (ИПХТ)
Технологические возможности ИПХТ.
Плавильно-кристаллизационный узел.
Особенности работы лампового генератора.
Установки для ИПХТ.
Список литературы
Получение монокристаллов кремния методом бестигельной зонной плавки
Процесс бестигельной зонной плавки.
Тепловые условия.
Выбор частоты, индукционные системы.
Особенности источников питания.
Системы регулирования.
Установки для бестигельной зонной плавки.
Выращивание кристаллов кремния с пьедестала
Выращивание монокристаллов кремния с пьедестала.
Выращивание прутков-подложек.
Получение профильных монокристаллов.
Групповое выращивание тонких прутков.
Эпитаксиальное наращивание монокристаллических кремниевых слоев
Процесс эпитаксиального наращивания.
Основные параметры процесса осаждения и их влияние на рост и совершенство структуры эпитаксиальных слоев.
Установки типа «Слой» для эпитаксиального наращивания слоев.
Получение монокристаллов окисных материалов методом вытягивания из расплава в тигле
Технологические особенности процесса.
Выбор источника питания.
Средства контроля и автоматизации.
Промышленные установки для получения монокристаллов высокотемпературных окислов.
Получение плавленых окисных материалов с использованием индукционной плавки в холодном тигле (ИПХТ)
Технологические возможности ИПХТ.
Плавильно-кристаллизационный узел.
Особенности работы лампового генератора.
Установки для ИПХТ.
Список литературы