Авторы: Бонч-Бруевич В. Л., Звягин И. П., Карпенко И. В., Миронов
А. Г. М.: Наука. Гл. ред. физ. -мат. лит. , 1987 г. — 144 стр.
1. Статистика электронов и дырок в полупроводниках.
2. Рекомбинация носителей заряда в полупроводниках.
3. Диффузия и дрейф носителей заряда.
4. Диффузия и дрейф носителей заряда в магнитном поле.
5. Поверхностные явления.
6. Термо-ЭДС в полупроводниках.
7. Фото-ЭДС в полупроводниках.
8. Оптика полупроводников.
Приложения:
1. Некоторые свойства Интегралов Ферми.
2. Некоторые параметры полупроводниковых материалов.
1. Статистика электронов и дырок в полупроводниках.
2. Рекомбинация носителей заряда в полупроводниках.
3. Диффузия и дрейф носителей заряда.
4. Диффузия и дрейф носителей заряда в магнитном поле.
5. Поверхностные явления.
6. Термо-ЭДС в полупроводниках.
7. Фото-ЭДС в полупроводниках.
8. Оптика полупроводников.
Приложения:
1. Некоторые свойства Интегралов Ферми.
2. Некоторые параметры полупроводниковых материалов.