Гольцман Б.М., Дашевский З.М., Кайданов В.И., Коломоец Н.В. Пленочные термоэлементы: физика и применение

Ульяновск: УлГТУ, 2006. - 61 с. Учебное пособие предназначено для студентов, обучающихся по специальности 21040665 "Сети связи и системы коммутации", 21040465 "Многоканальные телекоммуникационные системы". В пособие включены такие разделы, как переходы в полупроводниках и полупроводниковых структурах, физика полупроводниковых оптоэлектронных приборов, основы физики сверхпроводимости и криоэлектроники. Пособие представляет расширенный курс лекций,...

Учеб. пособие / Пермский. гос. техн. ун-т. - Пермь, 2003. - 158 с. ISBN5-88151-173-5 Рассмотрены физические основы проводимости полупроводников, физика полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, основные свойства, характеристики и параметры распространенных полупроводниковых приборов. Кратко рассмотрены технологические вопросы получения полупроводниковых приборов и микросхем. Дано представление об уровне развития современной микроэлект...

Учеб. пособие. СПб.: Изд-во Политехн. ун-та, 2005. 113стр. Пособие соответствует государственому образовательному стандарту по дисциплине "Физико-химические основы технологии полупроводников" для студентов, обучающихся по программе бакалавров по направлению 550100 - "Техническая физика" Предназначено для студентов физико-технического факультета.

Полупроводниковые термоэлектрические материалы на оенове Bi2Te3, Гольцман Б. М., Кудинов В. А., Смирнов И. А. Изд. -во «Наука», Главная редакция физико-математической литературы, 1972. В монографии подробно обсуждаются явления переноса, а также оптические и резонансные явления, которые в анизотропных материалах со сложной зонной структурой (каковыми являются Bi2Te3 и твердые растворы на его основе) имеют ряд существенных особенностей. Большое вн...

Автореферат диссертации на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук, Долгопрудный – 2011, 21с. Специальность 01.04.07 – физика конденсированного состояния Работа выполнена в государственном образовательном учреждении высшего профессионального образования Московский физико-технический институт (государственный университет). Целью работы являлось создание методики создания тонких пленок двух и трехкомпонентных оксидов TixAl1-xO...

Полупроводниковые соединения AIVBIV, Методы выращивания монокристаллов SiC, Применение SiC, Полупроводниковые соединения AIIIBV, Получение соединений AIIIBV, Применение полупроводников AIIIBV, Полупроводниковые соединения AIIBV, Стеклообразные и аморфные полупроводники, Получение гидрогенизированного кремния и его применение.

М: Наука. Главная редакция физико-математической литературы. 1985 184 страницы Предлаглемая вниманию читателей книга представляет coбой часть III монографии известного Физика О. Маделунга «Физика твердого тела». В отличие от первых двух частей (изданных Главной редакцией физ. -мат. литературы в одной книге в 1980 г. ). Содержание которых не выходит за рамки традиционного круга вопросов (явления в идеальной бесконечной решетке), предметом части I...

Учеб. пособие для вузов. — Киев: Вища школа. Головное изд-во, 1980. -400 с. Рассматриваются современные представления о поляризации, электропроводности, диэлектрических потерях, электрической прочности и фазовых переходах в диэлектриках. Особое внимание уделяется нелинейным свойствам диэлектриков, а также новым физическим явлениям в этих веществах. Приборы, в которых используются эти явления, находят применение в электронной технике. Автором учте...

Материал из Википедии — свободной энциклопедии Материал из учебного пособия «Физика твердого тела» Епифанов Г.И. Задача: 6й вариант

Учебно-методическое пособие. – Нижний Новгород: ННГУ, 2009. – 18 с. Данное учебно-методическое пособие является дополнением к курсу «Физика низкоразмерных систем», читаемом на физическом факультете ННГУ для студентов, обучающимся по направлению подготовки 210600 «Нанотехнология». В пособии рассматривается метод построения энергетической диаграммы идеального гетероперехода по правилу электронного сродства и приводится методика расчета параметров...